Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| エピタキシャルウェハおよび化合物半導体デバイス | |
| 其他题名 | エピタキシャルウェハおよび化合物半導体デバイス |
| 寺嶋 一高; 津崎 卓司; 宇田川 隆 | |
| 2005-12-02 | |
| 专利权人 | 昭和電工株式会社 |
| 公开日期 | 2006-02-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 エピタキシャルウェハにおいて、緩衝層と、その上面に積層させる立方晶のIII 族窒化物半導体層との整合性をほぼ完全なものにできるようにする。
【解決手段】 この発明のエピタキシャルウェハ10は、立方晶の結晶基板1と、この結晶基板1上に形成した、一般構造式がBpGaqAs(0xGayInzNwM1-w 層(0≦x、y、z≦1、x+y+z=1、0 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：基本上完成缓冲层和立方III族氮化物半导体层之间的匹配，以堆叠在外延晶片的顶表面上。
本发明的外延晶片10包括立方晶体衬底1和形成在晶体衬底1上的晶体结构BpGa 。由＆lt; As（0 x Ga y y In z n N w M 1-w层（0≤x，y，z≤1，由符号M表示的氮化物半导体层3表示氮以外的V元素，其中x + y + z = 1,0 |
| 授权日期 | 2005-12-02 |
| 申请日期 | 1998-03-10 |
| 专利号 | JP3747125B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998057962 |
| 公开（公告）号 | JP3747125B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01L29/812 | H01L29/20 | H01L21/02 | H01L33/16 | H01L21/20 | H01L33/00 | H01S | H01L21/338 | H01S5/323 | H01L33/12 | H01L33/32 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 福田 武通 | 福田 賢三 | 福田 伸一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41911 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 昭和電工株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺嶋 一高,津崎 卓司,宇田川 隆. エピタキシャルウェハおよび化合物半導体デバイス. JP3747125B2[P]. 2005-12-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3747125B2.PDF（86KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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