A semiconductor laser device and a method of making same

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	A semiconductor laser device and a method of making same
其他题名	A semiconductor laser device and a method of making same
	TAKAHIRO, SUYAMA; TOSHIRO, HAYAKAWA; KOHSEI, TAKAHASHI; MASAFUMI, KONDO; SABURO, YAMAMOTO
	1990-10-10
专利权人	SHARP KABUSHIKI KAISHA
公开日期	1990-10-10
授权国家	英国
专利类型	授权发明
摘要	After sequentially forming a first clad layer 3, active layer 4, second clad layer 10, cap layer 11, and further layers 12, 13, on a substrate to form a laser, the further layers 12, 13, are selectively removed to form a window and in this window grooves 14 are formed from the surface of the cap layer 11 down into the second clad layer 10, an insulation layer 16 being formed in the groove, to form a current stripe structure, in which the grooves are used to confine current and the regions between adjacent grooves serve as light emitting regions. A structure may have only two grooves, or if an array is required, more than two grooves.
其他摘要	在衬底上依次形成第一覆层3，有源层4，第二覆层10，覆盖层11和另外的层12,13以形成激光之后，选择性地去除另外的层12,13以形成在该窗口中，从盖层11的表面向下进入第二包层10形成凹槽14，在凹槽中形成绝缘层16，以形成电流条纹结构，其中凹槽用于限制电流和相邻凹槽之间的区域用作发光区域。结构可以仅具有两个凹槽，或者如果需要阵列，则可以具有两个以上的凹槽。
授权日期	1990-10-10
申请日期	1989-12-29
专利号	GB2225671B
专利状态	失效
申请号	GB1989029323
公开（公告）号	GB2225671B
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/343 \| H01S5/22 \| H01S5/00 \| H01S5/40 \| H01S3/19 \| H01L33/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41902
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式 GB/T 7714	TAKAHIRO, SUYAMA,TOSHIRO, HAYAKAWA,KOHSEI, TAKAHASHI,et al. A semiconductor laser device and a method of making same. GB2225671B[P]. 1990-10-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
GB2225671B.PDF（589KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文