Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光変調器集積半導体レーザ及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 光変調器集積半導体レーザ及びその製造方法 |
| 奥田 哲朗 | |
| 2001-12-28 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 2002-03-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 光変調器集積半導体レーザにおいて、波長チャープを低減し、かつ素子の均一性及び再現性を改善する。 【解決手段】 選択成長により一括して光導波路3を形成する光変調器集積半導体レーザにおいて、レーザ部10と変調器部11の境界に、バンドギャップ及び膜厚がテーパー状に変化する光導波路3の遷移領域9を形成する。この遷移領域9をDFBレーザ部10に含め、活性領域とする。これにより、変調器部11からの反射戻り光に起因する波長チャープが低減される。また、遷移領域9をテーパ状に形成することにより、素子特性の均一性及び再現性が改善される。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：在光模块化集成半导体激光器中，在降低波长啁啾的同时提高元件的均匀性和可重复性。解决方案：在光调制器集成半导体激光器中，其中光波导3通过选择性生长共同形成，光波导3的过渡区域9形成在其间的边界处，其中带隙和膜厚度以锥形方式变化。激光器部分10和调制器部分1DFB激光器部分20包含过渡区域9，用作有源区域。结果，减少了来自调制器部分11的反射返回光引起的波长啁啾。此外，通过以锥形方式形成过渡区域9，改善了元件特性的均匀性和再现性。 |
| 授权日期 | 2001-12-28 |
| 申请日期 | 1999-02-05 |
| 专利号 | JP3264369B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999028407 |
| 公开（公告）号 | JP3264369B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01L27/15 | H01S5/026 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 稲垣 清 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41869 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田 哲朗. 光変調器集積半導体レーザ及びその製造方法. JP3264369B2[P]. 2001-12-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3264369B2.PDF（57KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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