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Current confinement structure for vertical cavity surface emitting laser
其他题名Current confinement structure for vertical cavity surface emitting laser
ZHU, ZUHUA; WANG, SHIH-YUAN
2005-04-05
专利权人GAZILLION BITS, INC.
公开日期2005-04-05
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structure and fabrication method therefor are described in which a subsurface air, gas, or vacuum current confinement method is used to restrict the area of electrical flow in the active region. Using vertical hollow shafts to access a subsurface current confinement layer, a selective lateral etching process is used to form a plurality of subsurface cavities in the current confinement layer, the lateral etching process continuing until the subsurface cavities laterally merge to form a single subsurface circumferential cavity that surrounds a desired current confinement zone. Because the subsurface circumferential cavity is filled with air, gas, or vacuum, the stresses associated with oxidation-based current confinement methods are avoided. Additionally, because the confinement is achieved by subsurface cavity structures, overall mechanical strength of the current-confining region is maintained.
其他摘要描述了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)结构及其制造方法,其中使用地下空气,气体或真空电流限制方法来限制有源区中的电流面积。使用垂直空心轴进入地下电流限制层,选择性横向蚀刻工艺用于在电流限制层中形成多个次表面空腔,横向蚀刻工艺持续到地下空腔横向合并以形成单个次表面周向空腔围绕所需的电流限制区域。因为地下周向空腔充满空气,气体或真空,所以避免了与基于氧化的电流限制方法相关的应力。另外,因为通过次表面腔结构实现限制,所以保持了电流限制区域的整体机械强度。
授权日期2005-04-05
申请日期2003-06-23
专利号US6876687
专利状态失效
申请号US10/602139
公开(公告)号US6876687
IPC 分类号H04B10/155 | H04B10/152 | H01S5/00 | H01S5/183 | H01L33/00 | H01S5/20
专利代理人-
代理机构COOPER & DUNHAM LLP
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41597
专题半导体激光器专利数据库
作者单位GAZILLION BITS, INC.
推荐引用方式
GB/T 7714
ZHU, ZUHUA,WANG, SHIH-YUAN. Current confinement structure for vertical cavity surface emitting laser. US6876687[P]. 2005-04-05.
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