基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法
其他题名	基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法
	关宝璐; 郭霞; 张敬兰; 任秀娟; 郭帅; 李硕; 沈光地
	2011-12-21
专利权人	北京工业大学
公开日期	2011-12-21
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为相位调节层(13)、铝砷化镓层(3)、砷化镓层(2)，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8)、n型砷化镓层(9)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，其中相位调节层(13)采用具有透光性的材料，其厚度可以根据设计双波长的位置、频差需要采用任意厚度，而不局限为激光器所输出激光波长的四分之一的整数倍。由于具有一定厚度的相位调节层可以调节激光器谐振腔内部传输光子相位变化，从而实现多波长发射。
其他摘要	基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为相位调节层(13)、铝砷化镓层(3)、砷化镓层(2)，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8)、n型砷化镓层(9)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，其中相位调节层(13)采用具有透光性的材料，其厚度可以根据设计双波长的位置、频差需要采用任意厚度，而不局限为激光器所输出激光波长的四分之一的整数倍。由于具有一定厚度的相位调节层可以调节激光器谐振腔内部传输光子相位变化，从而实现多波长发射。
授权日期	2011-12-21
申请日期	2009-12-30
专利号	CN101764354B
专利状态	失效
申请号	CN200910244429.4
公开（公告）号	CN101764354B
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/06
专利代理人	吴荫芳
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41593
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	关宝璐,郭霞,张敬兰,等. 基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法. CN101764354B[P]. 2011-12-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101764354B.PDF（535KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文