Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 表面等离子体调制的倒装VCSEL激光器及其制造方法 | |
| 其他题名 | 表面等离子体调制的倒装VCSEL激光器及其制造方法 |
| 宋国峰; 祝希; 李康文; 付东 | |
| 2018-12-07 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2018-12-07 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种表面等离子体调制倒装VCSEL激光器的制造方法，包括：(1)外延片准备；(2)台面制备；(3)湿法氧化；(4)P面生长SiO2；(5)制作隔离窗口；(6)P面制作电极；(7)N面减薄；(8)N面生长SiO2；(9)N面SiO2腐蚀；(10)N面套刻及溅射金属；(11)管芯制作；(12)纳米结构制备；(13)测试。本发明的表面等离子体调制的倒装VCSEL激光器的制造方法能够实现在某些波长的底发射垂直腔面发射激光器上实现表面等离子体调制，补充了表面等离子体调制垂直腔面激光器在倒装方面的空白，使全波长段都能实现微纳结构的表面等离子体调制。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种表面等离子体调制倒装VCSEL激光器的制造方法，包括：(1)外延片准备；(2)台面制备；(3)湿法氧化；(4)P面生长SiO2；(5)制作隔离窗口；(6)P面制作电极；(7)N面减薄；(8)N面生长SiO2；(9)N面SiO2腐蚀；(10)N面套刻及溅射金属；(11)管芯制作；(12)纳米结构制备；(13)测试。本发明的表面等离子体调制的倒装VCSEL激光器的制造方法能够实现在某些波长的底发射垂直腔面发射激光器上实现表面等离子体调制，补充了表面等离子体调制垂直腔面激光器在倒装方面的空白，使全波长段都能实现微纳结构的表面等离子体调制。 |
| 授权日期 | 2018-12-07 |
| 申请日期 | 2015-06-03 |
| 专利号 | CN104882787B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201510300479 |
| 公开（公告）号 | CN104882787B |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 宋焰琴 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41592 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋国峰,祝希,李康文,等. 表面等离子体调制的倒装VCSEL激光器及其制造方法. CN104882787B[P]. 2018-12-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104882787B.PDF（458KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [宋国峰]的文章 |
| [祝希]的文章 |
| [李康文]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [宋国峰]的文章 |
| [祝希]的文章 |
| [李康文]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [宋国峰]的文章 |
| [祝希]的文章 |
| [李康文]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论