抗多频混叠的高精度同步测尺半导体激光测距装置与方法

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	抗多频混叠的高精度同步测尺半导体激光测距装置与方法
其他题名	抗多频混叠的高精度同步测尺半导体激光测距装置与方法
	杨宏兴; 谭久彬; 胡鹏程
	2016-07-06
专利权人	哈尔滨工业大学
公开日期	2016-07-06
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	抗多频混叠的高精度同步测尺半导体激光测距装置与方法属于相位激光测距技术，所述测距装置包括测尺生成单元、激光移频单元、抗混叠测量光路和相位测量单元组成；其测距方法包括步骤如下：步骤一、开启频率基准激光器和偏频锁定半导体激光器；步骤二、一束作为参考激光束，另一束作为测量激光；步骤三、以作为精测尺；步骤四、以作为粗测尺；步骤五、移动测量角椎棱镜至目标端，分别得到精测尺与粗测尺的相位差Φ1和Φ2，最后通过公式得到被测距离值；本发明解决了超长波长和超短波长的不能同步产生，激光测尺不可直接溯源和非线性周期误差和频率混叠的问题，具有测量效率高、精度高、稳定性和实时性强的特点。
其他摘要	抗多频混叠的高精度同步测尺半导体激光测距装置与方法属于相位激光测距技术，所述测距装置包括测尺生成单元、激光移频单元、抗混叠测量光路和相位测量单元组成；其测距方法包括步骤如下：步骤一、开启频率基准激光器和偏频锁定半导体激光器；步骤二、一束作为参考激光束，另一束作为测量激光；步骤三、以作为精测尺；步骤四、以作为粗测尺；步骤五、移动测量角椎棱镜至目标端，分别得到精测尺与粗测尺的相位差Φ₁和Φ₂，最后通过公式得到被测距离值；本发明解决了超长波长和超短波长的不能同步产生，激光测尺不可直接溯源和非线性周期误差和频率混叠的问题，具有测量效率高、精度高、稳定性和实时性强的特点。
授权日期	2016-07-06
申请日期	2014-06-14
专利号	CN104049250B
专利状态	授权
申请号	CN201410263639.9
公开（公告）号	CN104049250B
IPC 分类号	G01S11/12
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41584
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	哈尔滨工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	杨宏兴,谭久彬,胡鹏程. 抗多频混叠的高精度同步测尺半导体激光测距装置与方法. CN104049250B[P]. 2016-07-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104049250B.PDF（269KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文