Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法 | |
| 其他题名 | 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法 |
| 刘俊岐; 王涛; 李媛媛; 刘峰奇; 王利军; 张锦川; 翟慎强; 刘舒曼; 卓宁; 王占国 | |
| 2018-11-27 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2018-11-27 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法，该太赫兹半导体激光器包括金属亚波长光栅层、半绝缘衬底层、高掺杂半导体层及结构相同的两个台面，两个台面由外延层深度腐蚀形成，其中一个作为该激光器的有源区结构，另一个作为下电极的支撑台面，两者的功能仅通过绝缘层的图形差异控制是否有电流注入来实现。本发明基于有源区横向选区电镀辅助散热金属层和图形化热沉倒装焊结构，这种结构既能改善器件有源区的散热特性又能方便形成衬底面发射，从而提高太赫兹激光发射效率和光束质量。 |
| 其他摘要 | 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法，该太赫兹半导体激光器包括金属亚波长光栅层、半绝缘衬底层、高掺杂半导体层及结构相同的两个台面，两个台面由外延层深度腐蚀形成，其中一个作为该激光器的有源区结构，另一个作为下电极的支撑台面，两者的功能仅通过绝缘层的图形差异控制是否有电流注入来实现。本发明基于有源区横向选区电镀辅助散热金属层和图形化热沉倒装焊结构，这种结构既能改善器件有源区的散热特性又能方便形成衬底面发射，从而提高太赫兹激光发射效率和光束质量。 |
| 授权日期 | 2018-11-27 |
| 申请日期 | 2016-02-01 |
| 专利号 | CN105655866B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201610069089.6 |
| 公开（公告）号 | CN105655866B |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/02 | H01S5/024 |
| 专利代理人 | 宋焰琴 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41553 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘俊岐,王涛,李媛媛,等. 一种太赫兹半导体激光器及其制造方法. CN105655866B[P]. 2018-11-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105655866B.PDF（850KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [刘俊岐]的文章 |
| [王涛]的文章 |
| [李媛媛]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [刘俊岐]的文章 |
| [王涛]的文章 |
| [李媛媛]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [刘俊岐]的文章 |
| [王涛]的文章 |
| [李媛媛]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论