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2μm键合单块非平面单纵模激光器
其他题名2μm键合单块非平面单纵模激光器
高春清; 高明伟; 林志锋; 张秀勇; 李家泽; 魏光辉
2007-10-10
专利权人北京理工大学
公开日期2007-10-10
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要一种2μm键合单块非平面单纵模激光器,该激光器利用掺杂晶体和非掺杂晶体构成非平面环形腔,利用非平面环形腔结构对不同本征偏振光具有不同的损耗,保证激光腔内只有损耗最小的本征偏振光实现单向行波振荡,从而得到单纵模激光输出。该方法不但具有单块化、稳定性好、频率及功率噪声小的优点,同时还解决了2μm激光器较难获得光学均匀性好的大口径晶体、激光晶体对2μm波段再吸收严重的问题,采用发射波长与激光晶体吸收波长一致的半导体激光器泵浦源,可实现稳定的2μm单纵模激光输出。
其他摘要一种2μm键合单块非平面单纵模激光器,该激光器利用掺杂晶体和非掺杂晶体构成非平面环形腔,利用非平面环形腔结构对不同本征偏振光具有不同的损耗,保证激光腔内只有损耗最小的本征偏振光实现单向行波振荡,从而得到单纵模激光输出。该方法不但具有单块化、稳定性好、频率及功率噪声小的优点,同时还解决了2μm激光器较难获得光学均匀性好的大口径晶体、激光晶体对2μm波段再吸收严重的问题,采用发射波长与激光晶体吸收波长一致的半导体激光器泵浦源,可实现稳定的2μm单纵模激光输出。
授权日期2007-10-10
申请日期2006-06-23
专利号CN200959480Y
专利状态失效
申请号CN200620120648.3
公开(公告)号CN200959480Y
IPC 分类号H01S3/06 | H01S3/083 | H01S3/16 | H01S3/10 | H01S3/0941 | H01S3/00
专利代理人付雷杰
代理机构北京理工大学专利中心
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41468
专题半导体激光器专利数据库
作者单位北京理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
高春清,高明伟,林志锋,等. 2μm键合单块非平面单纵模激光器. CN200959480Y[P]. 2007-10-10.
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