Method of fabricating semiconductor structures

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	Method of fabricating semiconductor structures
其他题名	Method of fabricating semiconductor structures
	CHUA, CHRISTOPHER L.; KNEISSL, MICHAEL A.; BOUR, DAVID P.
	2010-05-19
专利权人	XEROX CORPORATION
公开日期	2010-05-19
授权国家	欧洲专利局
专利类型	授权发明
摘要	A method is provided for fabricating a nitride based resonant cavity semiconductor structure with a first distributed Bragg reflector (122) on a sapphire substrate (100), a second substrate (128) bonded to the first distributed Bragg reflector (122), the sapphire substrate (100) removed by laser-assisted epitaxial lift-off, and fabricating a second Bragg reflector (142) on the semiconductor structure opposite the first distributed Bragg reflector. The nitride based resonant cavity semiconductor structure can be a VCSEL, LED or photodetector, or a combination of said devices.
其他摘要	提供一种制造氮化物基谐振腔半导体结构的方法，其具有在蓝宝石衬底（100）上的第一分布式布拉格反射器（122），结合到第一分布式布拉格反射器（122）的第二衬底（128），蓝宝石衬底（100）通过激光辅助外延剥离去除，并在与第一分布式布拉格反射器相对的半导体结构上制造第二布拉格反射器（142）。基于氮化物的谐振腔半导体结构可以是VCSEL，LED或光电探测器，或所述器件的组合。
授权日期	2010-05-19
申请日期	2002-12-12
专利号	EP1326290B1
专利状态	授权
申请号	EP2002258579
公开（公告）号	EP1326290B1
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/183 \| H01L33/10 \| H01L33/46 \| H01S5/323 \| H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	SKONE JAMES, ROBERT EDMUND
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41448
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	XEROX CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	CHUA, CHRISTOPHER L.,KNEISSL, MICHAEL A.,BOUR, DAVID P.. Method of fabricating semiconductor structures. EP1326290B1[P]. 2010-05-19.