基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器
其他题名	基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器
	渠红伟; 郑婉华; 张冶金; 张建心; 刘磊; 齐爱谊; 王海玲; 马绍栋; 石岩
	2015-02-11
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2015-02-11
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一侧为增益区，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，该横向微纳周期结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上方，一绝缘层，制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的一侧面；一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的两侧、绝缘层的上面，其中该脊型结构两侧为整体结构部分，一侧为增益区，位于激光器出光端面一侧，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，紧挨着增益区。
其他摘要	一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一侧为增益区，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，该横向微纳周期结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上方，一绝缘层，制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的一侧面；一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的两侧、绝缘层的上面，其中该脊型结构两侧为整体结构部分，一侧为增益区，位于激光器出光端面一侧，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，紧挨着增益区。
授权日期	2015-02-11
申请日期	2013-03-25
专利号	CN103227416B
专利状态	授权
申请号	CN201310095986.0
公开（公告）号	CN103227416B
IPC 分类号	H01S5/065 \| H01S5/22
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41421
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	渠红伟,郑婉华,张冶金,等. 基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器. CN103227416B[P]. 2015-02-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103227416B.PDF（1006KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文