改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法

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	改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法
其他题名	改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法
	尧舜; 高祥宇; 王智勇; 潘飞; 贾冠男; 李峙
	2016-08-24
专利权人	华芯半导体科技有限公司
公开日期	2016-08-24
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法，该方法适用于单元或阵列器件芯片，主要步骤包括：选取单个或多个发光单元具有精细结构的电流注入区的半导体激光单元或阵列器件芯片；将所述一个或各发光单元电流注入区按一定方式进行光刻、蒸镀；根据特定要求，将所述半导体激光单元或阵列器件芯片的电流注入区按照一定的尺寸和形状光刻、蒸镀，使电流注入区更加细化，半导体激光单元或阵列器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布。本发明直接从半导体激光器的光源入手，实现慢轴方向光场分布的改变，不仅使半导体激光单元或阵列器件芯片获得特定要求的慢轴方向光场分布，提高激光熔覆的效率和熔覆层的硬度，还避免其结构的复杂化。
其他摘要	改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法，该方法适用于单元或阵列器件芯片，主要步骤包括：选取单个或多个发光单元具有精细结构的电流注入区的半导体激光单元或阵列器件芯片；将所述一个或各发光单元电流注入区按一定方式进行光刻、蒸镀；根据特定要求，将所述半导体激光单元或阵列器件芯片的电流注入区按照一定的尺寸和形状光刻、蒸镀，使电流注入区更加细化，半导体激光单元或阵列器件芯片慢轴方向光场按所述特定要求分布。本发明直接从半导体激光器的光源入手，实现慢轴方向光场分布的改变，不仅使半导体激光单元或阵列器件芯片获得特定要求的慢轴方向光场分布，提高激光熔覆的效率和熔覆层的硬度，还避免其结构的复杂化。
授权日期	2016-08-24
申请日期	2014-03-28
专利号	CN103872579B
专利状态	授权
申请号	CN201410124234.7
公开（公告）号	CN103872579B
IPC 分类号	H01S5/06
专利代理人	陈英俊
代理机构	北京鸿元知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41411
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华芯半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	尧舜,高祥宇,王智勇,等. 改变半导体激光器件芯片慢轴方向光场分布的方法. CN103872579B[P]. 2016-08-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103872579B.PDF（99KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文