低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器

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	低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器
其他题名	低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器
	汪丽杰; 佟存柱; 王立军; 曾玉刚; 刘云; 张俊
	2012-11-07
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-11-07
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器，这种激光器的P面电极放置在盖层的顶面上，并且电连接到盖层，N面电极位于衬底的背面，并且电连接到衬底；中心腔位于下波导层与上波导层之间，有源区插入在中心腔内；所述下波导层采用多层N型掺杂的高、低折射率材料周期分布的布拉格反射波导；上波导层采用多层P型掺杂的高、低折射率材料周期分布的布拉格反射波导。本发明可有效改善传统边发射半导体激光器端面灾变性毁坏、烧孔、电热烧毁和光束成丝等效应，并且基模与高阶模之间大的增益损耗差异使得这种激光器可实现大模式体积、稳定单横模工作，其横向远场发散角半高全宽(FWHM)可达到10°以下。
其他摘要	本发明涉及一种低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器，这种激光器的P面电极放置在盖层的顶面上，并且电连接到盖层，N面电极位于衬底的背面，并且电连接到衬底；中心腔位于下波导层与上波导层之间，有源区插入在中心腔内；所述下波导层采用多层N型掺杂的高、低折射率材料周期分布的布拉格反射波导；上波导层采用多层P型掺杂的高、低折射率材料周期分布的布拉格反射波导。本发明可有效改善传统边发射半导体激光器端面灾变性毁坏、烧孔、电热烧毁和光束成丝等效应，并且基模与高阶模之间大的增益损耗差异使得这种激光器可实现大模式体积、稳定单横模工作，其横向远场发散角半高全宽(FWHM)可达到10°以下。
授权日期	2012-11-07
申请日期	2011-09-15
专利号	CN102324696B
专利状态	授权
申请号	CN201110272765.7
公开（公告）号	CN102324696B
IPC 分类号	H01S5/22
专利代理人	王淑秋
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41307
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	汪丽杰,佟存柱,王立军,等. 低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器. CN102324696B[P]. 2012-11-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102324696B.PDF（1022KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文