一种传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器

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	一种传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器
其他题名	一种传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器
	王警卫; 宗恒军; 刘兴胜
	2015-03-04
专利权人	西安炬光科技有限公司
公开日期	2015-03-04
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提出一种新的传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器，解决了现有封装结构体积偏大、系统集成性差的问题。该传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器中，激光芯片组的安装位置对应于热沉的中部，与热沉之间设置有导热绝缘层；正极连接块、负极连接块均为L形结构，两者呈中心对称设置，并通过导热绝缘层与热沉焊接；L形结构中，长部与短部扭转相接形成不同方向的焊接面；正极连接块和负极连接块L形结构的长部分别与所述叠阵模块的两个端面相贴并焊接；正极连接块和负极连接块L形结构的短部为孔板形式作为引出电极，安装位置对应于热沉的两翼，分别通过电极绝缘层与热沉焊接。
其他摘要	本实用新型提出一种新的传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器，解决了现有封装结构体积偏大、系统集成性差的问题。该传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器中，激光芯片组的安装位置对应于热沉的中部，与热沉之间设置有导热绝缘层；正极连接块、负极连接块均为L形结构，两者呈中心对称设置，并通过导热绝缘层与热沉焊接；L形结构中，长部与短部扭转相接形成不同方向的焊接面；正极连接块和负极连接块L形结构的长部分别与所述叠阵模块的两个端面相贴并焊接；正极连接块和负极连接块L形结构的短部为孔板形式作为引出电极，安装位置对应于热沉的两翼，分别通过电极绝缘层与热沉焊接。
授权日期	2015-03-04
申请日期	2014-10-09
专利号	CN204190161U
专利状态	失效
申请号	CN201420581224.1
公开（公告）号	CN204190161U
IPC 分类号	H01S5/024
专利代理人	胡乐
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41253
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安炬光科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王警卫,宗恒军,刘兴胜. 一种传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器. CN204190161U[P]. 2015-03-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN204190161U.PDF（585KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文