集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器及制备方法

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	集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器及制备方法
其他题名	集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器及制备方法
	唐松; 李连艳; 陈向飞
	2018-08-31
专利权人	南京威宁锐克信息技术有限公司
公开日期	2018-08-31
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器，DFB半导体激光器可调谐方案通过重构‑等效啁啾技术制作，多个DFB半导体激光器共用一个调制器，并且可以通过增加激光器数目或有源无源集成的方法扩展可调谐的波长范围；集成的调制器是半导体光放大器调制器(SOA)、电吸收调制器(EAM)或马赫‑曾德尔调制器(MZM)；可以通过量子阱混杂技术(QWI)、对接生长技术(Butt‑joint)或选择区域生长技术(SAG)来实现，其中量子阱材料基于InP/InGaAsP或InP/AlGaInAs材料体系。本发明最少只需要一个调制用的射频端口，从而通过简化封装设计来降低成本，大大提高了实用性与易用性。
其他摘要	一种集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器，DFB半导体激光器可调谐方案通过重构‑等效啁啾技术制作，多个DFB半导体激光器共用一个调制器，并且可以通过增加激光器数目或有源无源集成的方法扩展可调谐的波长范围；集成的调制器是半导体光放大器调制器(SOA)、电吸收调制器(EAM)或马赫‑曾德尔调制器(MZM)；可以通过量子阱混杂技术(QWI)、对接生长技术(Butt‑joint)或选择区域生长技术(SAG)来实现，其中量子阱材料基于InP/InGaAsP或InP/AlGaInAs材料体系。本发明最少只需要一个调制用的射频端口，从而通过简化封装设计来降低成本，大大提高了实用性与易用性。
授权日期	2018-08-31
申请日期	2014-04-25
专利号	CN103956652B
专利状态	授权
申请号	CN201410173909.7
公开（公告）号	CN103956652B
IPC 分类号	H01S5/06 \| H01S5/12 \| H01S5/40
专利代理人	陈建和
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41233
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京威宁锐克信息技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	唐松,李连艳,陈向飞. 集成调制器的低成本可调谐DFB半导体激光器及制备方法. CN103956652B[P]. 2018-08-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103956652B.PDF（566KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文