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一种具有大功率高光束质量激光的半导体激光器
其他题名一种具有大功率高光束质量激光的半导体激光器
邱运涛; 尧舜; 曹银花; 王智勇; 秦文斌
2017-06-23
专利权人华芯半导体科技有限公司
公开日期2017-06-23
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要一种具有大功率高光束质量激光的半导体激光器,其在半导体增益元件外部搭建外谐振腔,外谐振腔内依次设置准直光学元件、光谱色散元件和耦合输出镜。半导体增益元件包含数个呈直线平行排列的有源增益区,在每个有源增益区的一侧镀有对激光波长高反射率的膜层,另一侧镀有对激光波长高透过率的膜层。准直光学元件位于半导体增益元件镀有高透过率膜层一侧的后方,其中心光轴方向与所述半导体光学增益元件发射出光束的中心光轴重合。光谱色散元件以一定角度放置于准直光学元件的后方。耦合输出镜沿光束传播方向位于所述光谱色散元件的后方。本发明改善了激光震荡的模式,在不影响激光光束质量的前提下有效地提高了激光器的输出功率。
其他摘要一种具有大功率高光束质量激光的半导体激光器,其在半导体增益元件外部搭建外谐振腔,外谐振腔内依次设置准直光学元件、光谱色散元件和耦合输出镜。半导体增益元件包含数个呈直线平行排列的有源增益区,在每个有源增益区的一侧镀有对激光波长高反射率的膜层,另一侧镀有对激光波长高透过率的膜层。准直光学元件位于半导体增益元件镀有高透过率膜层一侧的后方,其中心光轴方向与所述半导体光学增益元件发射出光束的中心光轴重合。光谱色散元件以一定角度放置于准直光学元件的后方。耦合输出镜沿光束传播方向位于所述光谱色散元件的后方。本发明改善了激光震荡的模式,在不影响激光光束质量的前提下有效地提高了激光器的输出功率。
授权日期2017-06-23
申请日期2014-04-09
专利号CN103887707B
专利状态授权
申请号CN201410140797.5
公开(公告)号CN103887707B
IPC 分类号H01S5/14 | H01S5/06
专利代理人陈英俊
代理机构北京鸿元知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41193
专题半导体激光器专利数据库
作者单位华芯半导体科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
邱运涛,尧舜,曹银花,等. 一种具有大功率高光束质量激光的半导体激光器. CN103887707B[P]. 2017-06-23.
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