一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法

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	一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法
其他题名	一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法
	李江; 廖新胜; 张丽芳; 江先锋; 孙博书
	2016-01-20
专利权人	苏州长光华芯光电技术有限公司
公开日期	2016-01-20
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法，包括以下步骤：1）将氮化铝散热片按半导体激光器巴条尺寸切割；2）将氮化铝散热片与无氧铜热沉块焊接于一起，按单芯片排列周期将氮化铝散热片切割出电绝缘槽；3）用机械夹具及氧化铝陶瓷垫片将氮化铝散热片、焊料及巴条压合在一起，置入高温回流炉中高温焊接；4）用高速旋转的切片沿电绝缘槽方向将巴条割开，使巴条上的芯片变成独立的单芯片；5）用打线机将一单芯片阴极与相邻单芯片阳极金线连接，并将集成的芯片一端的阴极和另一端的阳极分别连接到无氧铜热沉块的电极片上，以备连接外部电源。本发明的封装方法，使用寿命长、工艺简单、体积小、稳定性好、功率高，应用广泛。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法，包括以下步骤：1）将氮化铝散热片按半导体激光器巴条尺寸切割；2）将氮化铝散热片与无氧铜热沉块焊接于一起，按单芯片排列周期将氮化铝散热片切割出电绝缘槽；3）用机械夹具及氧化铝陶瓷垫片将氮化铝散热片、焊料及巴条压合在一起，置入高温回流炉中高温焊接；4）用高速旋转的切片沿电绝缘槽方向将巴条割开，使巴条上的芯片变成独立的单芯片；5）用打线机将一单芯片阴极与相邻单芯片阳极金线连接，并将集成的芯片一端的阴极和另一端的阳极分别连接到无氧铜热沉块的电极片上，以备连接外部电源。本发明的封装方法，使用寿命长、工艺简单、体积小、稳定性好、功率高，应用广泛。
授权日期	2016-01-20
申请日期	2012-08-30
专利号	CN103633549B
专利状态	授权
申请号	CN201210313383.9
公开（公告）号	CN103633549B
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01S5/022 \| H01S5/024
专利代理人	曹毅
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41095
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯光电技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李江,廖新胜,张丽芳,等. 一种半导体激光器阵列单芯片的封装方法. CN103633549B[P]. 2016-01-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103633549B.PDF（393KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文