分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法

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	分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法
其他题名	分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法
	肖如磊; 陈向飞; 张云山; 施跃春; 郑吉林; 陆骏; 谢荣华; 陈权初
	2018-06-29
专利权人	南京大学
公开日期	2018-06-29
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本申请公开了分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法，该方法在不降低半导体激光器中布拉格光栅的强度的情况下提高光源波长的精确度。其中，制备激光器中布拉格光栅的方法包括：在光栅材料层上涂抹电子束曝光胶，所述光栅材料层位于金属n电极上；按照预定的采样光栅周期和每个采样光栅周期的占空比，通过电子束对所述光栅材料层上的电子束曝光胶进行曝光，并使用有机溶剂将所述曝光后的电子束曝光胶溶解掉，其中，所述每个采样光栅周期分成等间距的N部分，所述N的值为大于1的正整数；采用刻蚀的方法将所述衬底上溶解掉电子束曝光胶位置上的光栅材料刻蚀掉，从而形成半导体激光器中的布拉格光栅结构。
其他摘要	本申请公开了分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法，该方法在不降低半导体激光器中布拉格光栅的强度的情况下提高光源波长的精确度。其中，制备激光器中布拉格光栅的方法包括：在光栅材料层上涂抹电子束曝光胶，所述光栅材料层位于金属n电极上；按照预定的采样光栅周期和每个采样光栅周期的占空比，通过电子束对所述光栅材料层上的电子束曝光胶进行曝光，并使用有机溶剂将所述曝光后的电子束曝光胶溶解掉，其中，所述每个采样光栅周期分成等间距的N部分，所述N的值为大于1的正整数；采用刻蚀的方法将所述衬底上溶解掉电子束曝光胶位置上的光栅材料刻蚀掉，从而形成半导体激光器中的布拉格光栅结构。
授权日期	2018-06-29
申请日期	2016-01-13
专利号	CN105445836B
专利状态	授权
申请号	CN201610022368.7
公开（公告）号	CN105445836B
IPC 分类号	G02B5/18 \| H01S5/125 \| H01S5/343
专利代理人	黄熊
代理机构	北京国昊天诚知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41004
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	肖如磊,陈向飞,张云山,等. 分布反馈半导体激光器、激光器中布拉格光栅及制备方法. CN105445836B[P]. 2018-06-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105445836B.PDF（671KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文