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半导体激光器测试系统(近场非线性)
其他题名半导体激光器测试系统(近场非线性)
刘兴胜; 王昊; 刘晖
2015-10-28
专利权人西安炬光科技股份有限公司
公开日期2015-10-28
授权国家中国
专利类型外观设计
摘要本外观设计产品的名称:半导体激光器测试系统(近场非线性)。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于半导体激光器近场非线性特性的测试。3.本外观设计产品的设计要点:结构。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:立体图。
其他摘要本外观设计产品的名称:半导体激光器测试系统(近场非线性)。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于半导体激光器近场非线性特性的测试。3.本外观设计产品的设计要点:结构。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:立体图。
授权日期2015-10-28
申请日期2015-06-09
专利号CN303422411S
专利状态授权
申请号CN201530187238.5
公开(公告)号CN303422411S
IPC 分类号-
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40985
专题半导体激光器专利数据库
作者单位西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
刘兴胜,王昊,刘晖. 半导体激光器测试系统(近场非线性). CN303422411S[P]. 2015-10-28.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN303422411S.PDF(507KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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