集成泵浦光源的长波长垂直腔面发射激光器及制作方法

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	集成泵浦光源的长波长垂直腔面发射激光器及制作方法
其他题名	集成泵浦光源的长波长垂直腔面发射激光器及制作方法
	吴旭明; 王小东; 谭满清
	2010-11-24
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2010-11-24
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种集成泵浦光源的长波长垂直腔面发射激光器，包括：一衬底；一下布拉格反射镜制作在衬底上；一下限制层制作在下布拉格反射镜上；一下波导层制作在下限制层上，该下波导层是带隙波长为2微米的铟镓砷磷材料；一有源区制作在下波导层上；一上波导层制作在有源区上，该上波导层是带隙波长为2微米的铟镓砷磷材料；一上限制层制作在上波导层上；一上布拉格反射镜制作在上限制层上面的中间；一欧姆接触层制作在上限制层上，位于上布拉格反射镜的两侧；一上电极制作在欧姆接触层上，位于上布拉格反射镜的两侧；一下电极制作在衬底的下面。
其他摘要	一种集成泵浦光源的长波长垂直腔面发射激光器，包括：一衬底；一下布拉格反射镜制作在衬底上；一下限制层制作在下布拉格反射镜上；一下波导层制作在下限制层上，该下波导层是带隙波长为2微米的铟镓砷磷材料；一有源区制作在下波导层上；一上波导层制作在有源区上，该上波导层是带隙波长为2微米的铟镓砷磷材料；一上限制层制作在上波导层上；一上布拉格反射镜制作在上限制层上面的中间；一欧姆接触层制作在上限制层上，位于上布拉格反射镜的两侧；一上电极制作在欧姆接触层上，位于上布拉格反射镜的两侧；一下电极制作在衬底的下面。
授权日期	2010-11-24
申请日期	2006-06-22
专利号	CN101093931B
专利状态	失效
申请号	CN20061008655X
公开（公告）号	CN101093931B
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/20 \| H01S5/187 \| H01S5/04 \| H01S5/343
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40918
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吴旭明,王小东,谭满清. 集成泵浦光源的长波长垂直腔面发射激光器及制作方法. CN101093931B[P]. 2010-11-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101093931B.PDF（634KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文