Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构 | |
| 其他题名 | 一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构 |
| 单智发 | |
| 2018-06-05 | |
| 专利权人 | 苏州全磊光电有限公司 |
| 公开日期 | 2018-06-05 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型提供一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次沉积有GaAs缓冲层、N型DBR层、有源层、氧化限制层、P型DBR层和欧姆接触层，所述N型DBR层由AlGaAs/GaAs系DBR层与(Al)GaAs/(Al)GaInP系DBR层两部分组成，所述(Al)GaAs/(Al)GaInP系DBR层靠近所述有源层。该VCSEL阵列激光器的外延结构在N型DBR层上增加了(Al)GaAs/(Al)GaInP系DBR层，这样在进行台面刻蚀时，当刻蚀到(Al)GaInP层后截止，这样就能保证VCSEL阵列上所有的单颗VCSEL激光器台面高度一致，从而保证VCSEL阵列激光器输出特性一致，量产良率高。 |
| 其他摘要 | 本实用新型提供一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次沉积有GaAs缓冲层、N型DBR层、有源层、氧化限制层、P型DBR层和欧姆接触层，所述N型DBR层由AlGaAs/GaAs系DBR层与(Al)GaAs/(Al)GaInP系DBR层两部分组成，所述(Al)GaAs/(Al)GaInP系DBR层靠近所述有源层。该VCSEL阵列激光器的外延结构在N型DBR层上增加了(Al)GaAs/(Al)GaInP系DBR层，这样在进行台面刻蚀时，当刻蚀到(Al)GaInP层后截止，这样就能保证VCSEL阵列上所有的单颗VCSEL激光器台面高度一致，从而保证VCSEL阵列激光器输出特性一致，量产良率高。 |
| 授权日期 | 2018-06-05 |
| 申请日期 | 2017-09-21 |
| 专利号 | CN207459396U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201721212412.7 |
| 公开（公告）号 | CN207459396U |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 刘计成 |
| 代理机构 | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40912 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州全磊光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 单智发. 一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构. CN207459396U[P]. 2018-06-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN207459396U.PDF（375KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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