一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器

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	一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器
其他题名	一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器
	师宇晨; 潘彦廷; 李马惠; 穆瑶; 卫思逸; 赵小亮; 杨旗; 韦盼; 杨亚楠; 杨英
	2018-04-27
专利权人	陕西源杰半导体技术有限公司
公开日期	2018-04-27
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器，包括衬底以及设置在衬底上表面的量子阱，量子阱出光端对接生长有晶体外延生长InP，本实用新型的有益效果是在不增加激光器芯片的阈值电流的前提下，通过在传统边射型激光器端面长一层15um宽的InP(磷化铟)，从而可以减少出光发散角，使远场光场变小，提高耦光效率，同时由于量子阱的结构没有发生改变，量子阱区的光局限因子也不改变，因此激光器芯片的阈值电流也不会增加。此结构借由晶体二次外延技术得以实现，解决了传统边射型半导体激光器芯片为了实现低的阈值电流，通常会使光尽可能多的被束缚在量子阱(铟镓砷磷)区，但光在量子阱区被束缚的越强烈，在激光器出光端面，形成的发散角就会越大，远场光场就越大，导致耦光率降低的问题。
其他摘要	本实用新型公开了一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器，包括衬底以及设置在衬底上表面的量子阱，量子阱出光端对接生长有晶体外延生长InP，本实用新型的有益效果是在不增加激光器芯片的阈值电流的前提下，通过在传统边射型激光器端面长一层15um宽的InP(磷化铟)，从而可以减少出光发散角，使远场光场变小，提高耦光效率，同时由于量子阱的结构没有发生改变，量子阱区的光局限因子也不改变，因此激光器芯片的阈值电流也不会增加。此结构借由晶体二次外延技术得以实现，解决了传统边射型半导体激光器芯片为了实现低的阈值电流，通常会使光尽可能多的被束缚在量子阱(铟镓砷磷)区，但光在量子阱区被束缚的越强烈，在激光器出光端面，形成的发散角就会越大，远场光场就越大，导致耦光率降低的问题。
授权日期	2018-04-27
申请日期	2017-06-12
专利号	CN207282905U
专利状态	授权
申请号	CN201720677164.7
公开（公告）号	CN207282905U
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/343
专利代理人	徐文权
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40767
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	陕西源杰半导体技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	师宇晨,潘彦廷,李马惠,等. 一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器. CN207282905U[P]. 2018-04-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN207282905U.PDF（103KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文