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一种原子-腔耦合产生高阶横模的方法及装置
其他题名一种原子-腔耦合产生高阶横模的方法及装置
周海涛; 陈雪蓉; 武晋泽; 张俊香; 郜江瑞
2018-04-24
专利权人山西大学
公开日期2018-04-24
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明提供了一种原子‑腔耦合产生高阶横模的方法及装置。本发明解决了传统的通过倾斜谐振腔腔镜或光线传播方向产生高阶横模的问题。该发明如下:在由原子汽室和驻波腔耦合的系统中,当一对强的相干耦合场对射穿过腔内原子介质时,腔内介质对弱的腔模场的折射率产生调制,从而诱发高阶横模的产生。该发明装置如下:由半导体激光器、光隔离器、半波片、偏振分光棱镜、全反镜、凸透镜,平凹镜,铯原子气室组成高阶横模激光产生系统。本发明适用于制备基于碱金属原子吸收线附近的空间高阶横模关联光场的种子光源、利用高阶横模进行微小位移的精确测量、激光冷却与光学俘获、量子信息存储等研究领域。
其他摘要本发明提供了一种原子‑腔耦合产生高阶横模的方法及装置。本发明解决了传统的通过倾斜谐振腔腔镜或光线传播方向产生高阶横模的问题。该发明如下:在由原子汽室和驻波腔耦合的系统中,当一对强的相干耦合场对射穿过腔内原子介质时,腔内介质对弱的腔模场的折射率产生调制,从而诱发高阶横模的产生。该发明装置如下:由半导体激光器、光隔离器、半波片、偏振分光棱镜、全反镜、凸透镜,平凹镜,铯原子气室组成高阶横模激光产生系统。本发明适用于制备基于碱金属原子吸收线附近的空间高阶横模关联光场的种子光源、利用高阶横模进行微小位移的精确测量、激光冷却与光学俘获、量子信息存储等研究领域。
授权日期2018-04-24
申请日期2015-12-02
专利号CN105375250B
专利状态授权
申请号CN201510865615.5
公开(公告)号CN105375250B
IPC 分类号H01S3/08
专利代理人朱源
代理机构太原科卫专利事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40750
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山西大学
推荐引用方式
GB/T 7714
周海涛,陈雪蓉,武晋泽,等. 一种原子-腔耦合产生高阶横模的方法及装置. CN105375250B[P]. 2018-04-24.
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