Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种高功率半导体激光器结构 | |
| 其他题名 | 一种高功率半导体激光器结构 |
| 韦欣; 徐建人 | |
| 2018-04-10 | |
| 专利权人 | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 公开日期 | 2018-04-10 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型公开了一种高功率半导体激光器结构，包括衬底层以及在所述衬底层由下至上依次生长的缓冲层、过渡层一、波导层一、过渡层二、限制层一、有源层、限制层二、过渡层三、波导层二、过渡层四和接触层，所述限制层一和所述有源层之间设有隔离层一，所述有源层和所述限制层二之间设有隔离层二，所述隔离层一和所述隔离层二为非故意掺杂的砷化镓材料。本实用新型的高功率半导体激光器结构能够降低砷化铝铟镓外延层中O含量，并降低暗线缺陷传播速度的外延结构，器件寿命和可靠性有效提高。 |
| 其他摘要 | 本实用新型公开了一种高功率半导体激光器结构，包括衬底层以及在所述衬底层由下至上依次生长的缓冲层、过渡层一、波导层一、过渡层二、限制层一、有源层、限制层二、过渡层三、波导层二、过渡层四和接触层，所述限制层一和所述有源层之间设有隔离层一，所述有源层和所述限制层二之间设有隔离层二，所述隔离层一和所述隔离层二为非故意掺杂的砷化镓材料。本实用新型的高功率半导体激光器结构能够降低砷化铝铟镓外延层中O含量，并降低暗线缺陷传播速度的外延结构，器件寿命和可靠性有效提高。 |
| 授权日期 | 2018-04-10 |
| 申请日期 | 2017-07-31 |
| 专利号 | CN207218000U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201720939836.7 |
| 公开（公告）号 | CN207218000U |
| IPC 分类号 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 李伊飏 |
| 代理机构 | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40692 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦欣,徐建人. 一种高功率半导体激光器结构. CN207218000U[P]. 2018-04-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN207218000U.PDF（111KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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