基于硅基氧化钒薄膜的太赫兹波光斩波器及使用方法

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	基于硅基氧化钒薄膜的太赫兹波光斩波器及使用方法
其他题名	基于硅基氧化钒薄膜的太赫兹波光斩波器及使用方法
	栗岩锋; 邢岐荣; 王昌雷; 田震; 柴路; 胡明; 陈涛
	2012-07-11
专利权人	天津大学
公开日期	2012-07-11
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及一种基于硅基氧化钒薄膜的太赫兹光斩波器及使用方法，属于太赫兹斩波技术领域。该斩波器包括：硅基氧化钒薄膜，激光二极管，聚焦透镜，激光二极管的驱动电源，方波信号发生器，参考信号输出端子。该斩波器的斩波过程为：将硅基氧化钒薄膜置于太赫兹波束中，以激光二极管对其照射，照射区的光斑面积由聚焦透镜控制，激光二极管输出的激光方波脉冲由方波信号发生器控制，输出频率在100Hz-3KHz间可调，硅基氧化钒薄膜的透过率在激光方波信号的作用下，发生周期性改变，从而实现周期性的控制太赫兹波的通断，达到对太赫兹波斩波的目的。本发明的优点是：斩波稳定、成本低廉、体积小、便于集成、调制速度快。
其他摘要	本发明涉及一种基于硅基氧化钒薄膜的太赫兹光斩波器及使用方法，属于太赫兹斩波技术领域。该斩波器包括：硅基氧化钒薄膜，激光二极管，聚焦透镜，激光二极管的驱动电源，方波信号发生器，参考信号输出端子。该斩波器的斩波过程为：将硅基氧化钒薄膜置于太赫兹波束中，以激光二极管对其照射，照射区的光斑面积由聚焦透镜控制，激光二极管输出的激光方波脉冲由方波信号发生器控制，输出频率在100Hz-3KHz间可调，硅基氧化钒薄膜的透过率在激光方波信号的作用下，发生周期性改变，从而实现周期性的控制太赫兹波的通断，达到对太赫兹波斩波的目的。本发明的优点是：斩波稳定、成本低廉、体积小、便于集成、调制速度快。
授权日期	2012-07-11
申请日期	2010-11-03
专利号	CN102109686B
专利状态	失效
申请号	CN201010529018.2
公开（公告）号	CN102109686B
IPC 分类号	G02F1/01
专利代理人	王小静
代理机构	天津市杰盈专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40634
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	天津大学
推荐引用方式 GB/T 7714	栗岩锋,邢岐荣,王昌雷,等. 基于硅基氧化钒薄膜的太赫兹波光斩波器及使用方法. CN102109686B[P]. 2012-07-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102109686B.PDF（277KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文