应用于3D成像的激光阵列及其激光投影装置和3D成像设备

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	应用于3D成像的激光阵列及其激光投影装置和3D成像设备
其他题名	应用于3D成像的激光阵列及其激光投影装置和3D成像设备
	王兆民; 许星
	2018-03-23
专利权人	深圳奥比中光科技有限公司
公开日期	2018-03-23
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种应用于3D成像的激光阵列及其激光投影装置和3D成像设备，其中应用于3D成像的激光阵列包括：半导体衬底，VCSEL光源，所述VCSEL光源以二维阵列的形式分布在所述半导体衬底的表面，其中，所述二维阵列的排布方式是通过扇形子阵列旋转复制的形式产生，由共用同一个圆心的多个相同的扇形子阵列构成的二维阵列的排布方式沿任一方向上的包含了其他任何象限的子区域均具有不相关性，二维阵列对应的是VCSEL光源的分布情况，从而分布在半导体衬底表面的VCSEL光源具有极高的不相关性，解决了现有技术中用于3D成像的VCSEL光源的不相关性低的问题，本实用新型的激光阵列主要应用在深度相机中。
其他摘要	本实用新型公开了一种应用于3D成像的激光阵列及其激光投影装置和3D成像设备，其中应用于3D成像的激光阵列包括：半导体衬底，VCSEL光源，所述VCSEL光源以二维阵列的形式分布在所述半导体衬底的表面，其中，所述二维阵列的排布方式是通过扇形子阵列旋转复制的形式产生，由共用同一个圆心的多个相同的扇形子阵列构成的二维阵列的排布方式沿任一方向上的包含了其他任何象限的子区域均具有不相关性，二维阵列对应的是VCSEL光源的分布情况，从而分布在半导体衬底表面的VCSEL光源具有极高的不相关性，解决了现有技术中用于3D成像的VCSEL光源的不相关性低的问题，本实用新型的激光阵列主要应用在深度相机中。
授权日期	2018-03-23
申请日期	2017-05-04
专利号	CN207134607U
专利状态	授权
申请号	CN201720488477.8
公开（公告）号	CN207134607U
IPC 分类号	H01S5/42 \| G03B15/02 \| G03B35/00
专利代理人	江耀纯
代理机构	深圳新创友知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40563
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	深圳奥比中光科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王兆民,许星. 应用于3D成像的激光阵列及其激光投影装置和3D成像设备. CN207134607U[P]. 2018-03-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN207134607U.PDF（234KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文