基于耦合腔的单模高速调制法布里‑珀罗半导体激光器

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	基于耦合腔的单模高速调制法布里‑珀罗半导体激光器
其他题名	基于耦合腔的单模高速调制法布里‑珀罗半导体激光器
	马秀雯; 杨跃德; 肖金龙; 刘博文; 邹灵秀; 龙衡; 黄永箴
	2018-03-23
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2018-03-23
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种基于耦合腔的单模高速调制法布里一珀罗半导体激光器，包括：一管芯，该管芯为一叠层结构，包括：一下电极；一下接触层，其制作在下电极上；一N型衬底，其制作在下接触层上；在N型衬底上分为两部分，一是为法布里珀罗型微腔，二是为回音壁型微腔，该法布里一珀罗型微腔制作在N型衬底上，其一端与N型衬底的一端齐平，该回音壁型微腔制作在N型衬底上，位于法布里一珀罗型微腔的另一端，该法布里一珀罗型微腔和回音壁型微腔的层叠结构相同。本发明是将高功率的法布里一珀罗微腔与单模高速调制回音壁型微腔相结合，通过调节两腔之间的模式耦合以调节法布里一珀罗微腔的等效反射率，从而实现高功率、单模激射和更好的高速调制特性。
其他摘要	一种基于耦合腔的单模高速调制法布里一珀罗半导体激光器，包括：一管芯，该管芯为一叠层结构，包括：一下电极；一下接触层，其制作在下电极上；一N型衬底，其制作在下接触层上；在N型衬底上分为两部分，一是为法布里珀罗型微腔，二是为回音壁型微腔，该法布里一珀罗型微腔制作在N型衬底上，其一端与N型衬底的一端齐平，该回音壁型微腔制作在N型衬底上，位于法布里一珀罗型微腔的另一端，该法布里一珀罗型微腔和回音壁型微腔的层叠结构相同。本发明是将高功率的法布里一珀罗微腔与单模高速调制回音壁型微腔相结合，通过调节两腔之间的模式耦合以调节法布里一珀罗微腔的等效反射率，从而实现高功率、单模激射和更好的高速调制特性。
授权日期	2018-03-23
申请日期	2015-06-08
专利号	CN104868359B
专利状态	授权
申请号	CN201510309493.1
公开（公告）号	CN104868359B
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/14 \| H01S5/06
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40554
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	马秀雯,杨跃德,肖金龙,等. 基于耦合腔的单模高速调制法布里‑珀罗半导体激光器. CN104868359B[P]. 2018-03-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104868359B.PDF（152KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文