一种双向温控电路

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	一种双向温控电路
其他题名	一种双向温控电路
	李家超; 张大为; 陈彦民; 王玉鲁; 韩涛
	2015-03-25
专利权人	中视迪威激光显示技术有限公司
公开日期	2015-03-25
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种双向温控电路，其中，第一通用输入输出端口连接第五三极管的基极，第五三极管的集电极连接第六三极管的基极；电源输入端分别连接第六三极管的集电极、第一N沟道MOSFET管的栅极、第二P沟道MOSFET管的栅极；第一N沟道MOSFET管的漏极连接电源输出端；第一N沟道MOSFET管的源极连接第二P沟道MOSFET管的源极；第二通用输入输出端口连接第七三极管的基极，第七三极管的集电极连接第八三极管的基极；电源输入端分别连接第八三极管的集电极、第三P沟道MOSFET管的栅极、第四N沟道MOSFET管的栅极；第四N沟道MOSFET管的漏极连接电源输出端；第三P沟道MOSFET管的源极连接第四N沟道MOSFET管的源极。通过将继电器更换为MOSFET管，提高了工作效率，特别适用于半导体激光器。
其他摘要	本实用新型公开了一种双向温控电路，其中，第一通用输入输出端口连接第五三极管的基极，第五三极管的集电极连接第六三极管的基极；电源输入端分别连接第六三极管的集电极、第一N沟道MOSFET管的栅极、第二P沟道MOSFET管的栅极；第一N沟道MOSFET管的漏极连接电源输出端；第一N沟道MOSFET管的源极连接第二P沟道MOSFET管的源极；第二通用输入输出端口连接第七三极管的基极，第七三极管的集电极连接第八三极管的基极；电源输入端分别连接第八三极管的集电极、第三P沟道MOSFET管的栅极、第四N沟道MOSFET管的栅极；第四N沟道MOSFET管的漏极连接电源输出端；第三P沟道MOSFET管的源极连接第四N沟道MOSFET管的源极。通过将继电器更换为MOSFET管，提高了工作效率，特别适用于半导体激光器。
授权日期	2015-03-25
申请日期	2014-12-05
专利号	CN204229263U
专利状态	授权
申请号	CN201420758797.7
公开（公告）号	CN204229263U
IPC 分类号	G05D23/19
专利代理人	宋建平
代理机构	深圳华奇信诺专利代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40550
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中视迪威激光显示技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李家超,张大为,陈彦民,等. 一种双向温控电路. CN204229263U[P]. 2015-03-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN204229263U.PDF（399KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文