一种用于半导体激光器的两级温度控制系统

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种用于半导体激光器的两级温度控制系统
其他题名	一种用于半导体激光器的两级温度控制系统
	全伟; 刘峰; 房建成; 陈熙; 李光慧
	2017-09-12
专利权人	北京航空航天大学
公开日期	2017-09-12
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种用于半导体激光器的两级温度控制系统，包括第一级/第二级温度控制子系统、温度显示子系统以及电源子系统。第一级温度控制子系统作用于半导体激光二极管LD；采用模拟PID的控制方式，测温元件选用负温度系数热敏电阻NTC，执行器选用半导体制冷器TEC。第二级温度控制子系统用于控制整个温控系统的温度，保持电路的工作环境温度稳定；采用数字PID和PWM控制算法，测温元件用NTC，执行器选用TEC和散热风扇。温度显示子系统用于显示两级温控各自的设定温度和实际温度。电源子系统提供电路工作所需的电源。本发明采用两次温度控制的方式，减小了元件温度漂移对控制精度的影响，提高了控制精度并可延长系统工作寿命，提高系统的长时间稳定性。
其他摘要	本发明公开了一种用于半导体激光器的两级温度控制系统，包括第一级/第二级温度控制子系统、温度显示子系统以及电源子系统。第一级温度控制子系统作用于半导体激光二极管LD；采用模拟PID的控制方式，测温元件选用负温度系数热敏电阻NTC，执行器选用半导体制冷器TEC。第二级温度控制子系统用于控制整个温控系统的温度，保持电路的工作环境温度稳定；采用数字PID和PWM控制算法，测温元件用NTC，执行器选用TEC和散热风扇。温度显示子系统用于显示两级温控各自的设定温度和实际温度。电源子系统提供电路工作所需的电源。本发明采用两次温度控制的方式，减小了元件温度漂移对控制精度的影响，提高了控制精度并可延长系统工作寿命，提高系统的长时间稳定性。
授权日期	2017-09-12
申请日期	2015-08-04
专利号	CN105183034B
专利状态	授权
申请号	CN201510471343.0
公开（公告）号	CN105183034B
IPC 分类号	G05D23/20 \| H01S5/024
专利代理人	杨学明 \| 顾炜
代理机构	北京科迪生专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40537
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京航空航天大学
推荐引用方式 GB/T 7714	全伟,刘峰,房建成,等. 一种用于半导体激光器的两级温度控制系统. CN105183034B[P]. 2017-09-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105183034B.PDF（663KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文