内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法

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	内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法
其他题名	内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法
	陈泳屹; 秦莉; 宁永强; 王立军; 佟存柱; 单肖楠
	2018-03-13
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2018-03-13
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法属于新型量子级联激光器技术领域，该激光器包括：导流孔、内建纳米通道、太赫兹量子级联激光器芯层和衬底；所述太赫兹量子级联激光器芯层包括光波导和不发光芯片区域；太赫兹量子级联激光器芯层制作在衬底上；在不发光芯片区域上制作导流孔，其深度贯穿太赫兹量子级联激光器内的多个内建纳米通道，且小于太赫兹量子级联激光器芯层和衬底厚度的总和。本发明直接针对芯片进行冷却，冷却效率高，避免了衬底的热阻带来的散热困难。内建纳米通道，可以制作在衬底上，也可以制作在半导体激光器芯层内部。选用合适的工作物质，可以实现不同温度下太赫兹量子级联激光器的工作。
其他摘要	内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法属于新型量子级联激光器技术领域，该激光器包括：导流孔、内建纳米通道、太赫兹量子级联激光器芯层和衬底；所述太赫兹量子级联激光器芯层包括光波导和不发光芯片区域；太赫兹量子级联激光器芯层制作在衬底上；在不发光芯片区域上制作导流孔，其深度贯穿太赫兹量子级联激光器内的多个内建纳米通道，且小于太赫兹量子级联激光器芯层和衬底厚度的总和。本发明直接针对芯片进行冷却，冷却效率高，避免了衬底的热阻带来的散热困难。内建纳米通道，可以制作在衬底上，也可以制作在半导体激光器芯层内部。选用合适的工作物质，可以实现不同温度下太赫兹量子级联激光器的工作。
授权日期	2018-03-13
申请日期	2015-05-27
专利号	CN104966992B
专利状态	授权
申请号	CN201510281747.3
公开（公告）号	CN104966992B
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/024
专利代理人	张伟
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40534
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈泳屹,秦莉,宁永强,等. 内建纳米通道冷却量子级联半导体激光器及其制备方法. CN104966992B[P]. 2018-03-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104966992B.PDF（200KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文