Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种应变补偿型半导体激光器结构 | |
| 其他题名 | 一种应变补偿型半导体激光器结构 |
| 韦欣; 徐建人 | |
| 2018-03-02 | |
| 专利权人 | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 公开日期 | 2018-03-02 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型公开了一种应变补偿型半导体激光器结构，包括衬底层以及在所述衬底层由下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层，所述有源层为应变补偿量子阱材料。在本实用新型的上述结构中使用应变方向与量子阱中阱材料相反的材料做垒材料，来平衡阱材料的应变，减小宏观应变，推迟或者抑制位错的产生，器件的最大输出功率有效提高。 |
| 其他摘要 | 本实用新型公开了一种应变补偿型半导体激光器结构，包括衬底层以及在所述衬底层由下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层，所述有源层为应变补偿量子阱材料。在本实用新型的上述结构中使用应变方向与量子阱中阱材料相反的材料做垒材料，来平衡阱材料的应变，减小宏观应变，推迟或者抑制位错的产生，器件的最大输出功率有效提高。 |
| 授权日期 | 2018-03-02 |
| 申请日期 | 2017-07-31 |
| 专利号 | CN207069288U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201720944655.3 |
| 公开（公告）号 | CN207069288U |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 李伊飏 |
| 代理机构 | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40514 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 嘉兴海创激光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦欣,徐建人. 一种应变补偿型半导体激光器结构. CN207069288U[P]. 2018-03-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN207069288U.PDF（302KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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