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一种具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈半导体激光器
其他题名一种具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈半导体激光器
奚燕萍; 李洵
2017-12-29
专利权人华中科技大学
公开日期2017-12-29
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明提供的具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈(DFB)半导体激光器,是由自下而上依次排列的N型电极(1)、衬底(2)、下包层(3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、缓冲层(7)、光栅层(8)、上包层(9)、第一脊条(10)、第二脊条(11)、第一脊条上的P型电极(12)、第二脊条上的P型电极(13)组成。本发明通过在单个半导体激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2的两个脊条,而使其中之一总能避开均匀光栅DFB激光器所固有的双模工作区,使得批量制作时管芯总可在布拉格阻带任一阻带边沿波长上实现单纵模工作,达到提高单纵模成品率之目的。
其他摘要本发明提供的具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈(DFB)半导体激光器,是由自下而上依次排列的N型电极(1)、衬底(2)、下包层(3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、缓冲层(7)、光栅层(8)、上包层(9)、第一脊条(10)、第二脊条(11)、第一脊条上的P型电极(12)、第二脊条上的P型电极(13)组成。本发明通过在单个半导体激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2的两个脊条,而使其中之一总能避开均匀光栅DFB激光器所固有的双模工作区,使得批量制作时管芯总可在布拉格阻带任一阻带边沿波长上实现单纵模工作,达到提高单纵模成品率之目的。
授权日期2017-12-29
申请日期2014-08-22
专利号CN104201566B
专利状态授权
申请号CN201410415953.4
公开(公告)号CN104201566B
IPC 分类号H01S5/22
专利代理人曹葆青
代理机构华中科技大学专利中心
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40291
专题半导体激光器专利数据库
作者单位华中科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
奚燕萍,李洵. 一种具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈半导体激光器. CN104201566B[P]. 2017-12-29.
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