Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈半导体激光器 | |
其他题名 | 一种具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈半导体激光器 |
奚燕萍; 李洵 | |
2017-12-29 | |
专利权人 | 华中科技大学 |
公开日期 | 2017-12-29 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 本发明提供的具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈(DFB)半导体激光器,是由自下而上依次排列的N型电极(1)、衬底(2)、下包层(3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、缓冲层(7)、光栅层(8)、上包层(9)、第一脊条(10)、第二脊条(11)、第一脊条上的P型电极(12)、第二脊条上的P型电极(13)组成。本发明通过在单个半导体激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2的两个脊条,而使其中之一总能避开均匀光栅DFB激光器所固有的双模工作区,使得批量制作时管芯总可在布拉格阻带任一阻带边沿波长上实现单纵模工作,达到提高单纵模成品率之目的。 |
其他摘要 | 本发明提供的具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈(DFB)半导体激光器,是由自下而上依次排列的N型电极(1)、衬底(2)、下包层(3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、缓冲层(7)、光栅层(8)、上包层(9)、第一脊条(10)、第二脊条(11)、第一脊条上的P型电极(12)、第二脊条上的P型电极(13)组成。本发明通过在单个半导体激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2的两个脊条,而使其中之一总能避开均匀光栅DFB激光器所固有的双模工作区,使得批量制作时管芯总可在布拉格阻带任一阻带边沿波长上实现单纵模工作,达到提高单纵模成品率之目的。 |
授权日期 | 2017-12-29 |
申请日期 | 2014-08-22 |
专利号 | CN104201566B |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201410415953.4 |
公开(公告)号 | CN104201566B |
IPC 分类号 | H01S5/22 |
专利代理人 | 曹葆青 |
代理机构 | 华中科技大学专利中心 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40291 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 华中科技大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 奚燕萍,李洵. 一种具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈半导体激光器. CN104201566B[P]. 2017-12-29. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN104201566B.PDF(770KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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