半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵

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	半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵
其他题名	半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵
	贾阳涛; 王卫锋; 刘兴胜
	2017-12-26
专利权人	西安炬光科技股份有限公司
公开日期	2017-12-26
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提供了一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵，其中，半导体激光器制冷结构包括：热沉，所述热沉包括相对设置的第一表面与第二表面；设置于所述第一表面的彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层；电极连接件，包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部，所述第一端部设置于正极导电层，所述第二端部设置于所述热沉的第二表面，与所述热沉绝缘，所述第一连接部设置于所述热沉上所述正极导电层的非对端。其中，第一连接部设置于正极导电层的非对端，使电极连接件的第一端部以及第二端部的长度较短，从而电极连接件的电阻相对较小，提高了半导体激光器的可靠性。
其他摘要	本实用新型提供了一种半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵，其中，半导体激光器制冷结构包括：热沉，所述热沉包括相对设置的第一表面与第二表面；设置于所述第一表面的彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层；电极连接件，包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部，所述第一端部设置于正极导电层，所述第二端部设置于所述热沉的第二表面，与所述热沉绝缘，所述第一连接部设置于所述热沉上所述正极导电层的非对端。其中，第一连接部设置于正极导电层的非对端，使电极连接件的第一端部以及第二端部的长度较短，从而电极连接件的电阻相对较小，提高了半导体激光器的可靠性。
授权日期	2017-12-26
申请日期	2017-04-24
专利号	CN206806725U
专利状态	授权
申请号	CN201720438954.X
公开（公告）号	CN206806725U
IPC 分类号	H01S5/024
专利代理人	齐海迪
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40283
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	贾阳涛,王卫锋,刘兴胜. 半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵. CN206806725U[P]. 2017-12-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN206806725U.PDF（259KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文