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半导体激光器的控制方法
其他题名半导体激光器的控制方法
町田豊稔; 石川务; 田中宏和
2014-04-02
专利权人优迪那半导体有限公司
公开日期2014-04-02
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要一种对具有可用加热器调节折射率的波长选择部的半导体激光器进行控制的方法,该方法包括:启动过程,其包括调节所述加热器的发热值直至加热器的发热值到达规定值的第一步骤;以及波长控制过程,其包括在所述启动过程之后根据对所述半导体激光器的振荡波长的检测结果校正所述半导体激光器的波长的第二步骤。
其他摘要一种对具有可用加热器调节折射率的波长选择部的半导体激光器进行控制的方法,该方法包括:启动过程,其包括调节所述加热器的发热值直至加热器的发热值到达规定值的第一步骤;以及波长控制过程,其包括在所述启动过程之后根据对所述半导体激光器的振荡波长的检测结果校正所述半导体激光器的波长的第二步骤。
授权日期2014-04-02
申请日期2008-07-18
专利号CN101350497B
专利状态授权
申请号CN200810133955.9
公开(公告)号CN101350497B
IPC 分类号H01S5/06
专利代理人黄纶伟
代理机构北京三友知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40250
专题半导体激光器专利数据库
作者单位优迪那半导体有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
町田豊稔,石川务,田中宏和. 半导体激光器的控制方法. CN101350497B[P]. 2014-04-02.
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CN101350497B.PDF(680KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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