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半导体激光器频率调制方法
其他题名半导体激光器频率调制方法
吴尚谦
2010-12-08
专利权人昆明理工大学
公开日期2010-12-08
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明为一种半导体激光器的频率调制方法,属于光电工程技术领域。本调制方法是,当其温度一定时,利用波长对电流变化饱和区域相对于功率对电流变化饱和区域的相对滞后,在功率饱和波长变化区域内对半导体激光器的频率进行调制。本发明改进了半导体激光器频率调制的方法,可以有效地抑制由于频率调制而伴随产生的功率的变化,实现频率调制而输出光功率相对稳定不变的目的。
其他摘要本发明为一种半导体激光器的频率调制方法,属于光电工程技术领域。本调制方法是,当其温度一定时,利用波长对电流变化饱和区域相对于功率对电流变化饱和区域的相对滞后,在功率饱和波长变化区域内对半导体激光器的频率进行调制。本发明改进了半导体激光器频率调制的方法,可以有效地抑制由于频率调制而伴随产生的功率的变化,实现频率调制而输出光功率相对稳定不变的目的。
授权日期2010-12-08
申请日期2008-07-04
专利号CN101308995B
专利状态失效
申请号CN200810058640.2
公开(公告)号CN101308995B
IPC 分类号H01S5/06 | H01S5/042
专利代理人赵云
代理机构昆明今威专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40229
专题半导体激光器专利数据库
作者单位昆明理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
吴尚谦. 半导体激光器频率调制方法. CN101308995B[P]. 2010-12-08.
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CN101308995B.PDF(296KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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