Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 高功率高亮度半导体激光器 | |
| 其他题名 | 高功率高亮度半导体激光器 |
| 辛国锋; 瞿荣辉; 程灿; 皮浩洋; 陈高庭; 方祖捷 | |
| 2007-09-05 | |
| 专利权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2007-09-05 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 一种高功率高亮度半导体激光器，其特征在于至少包括一个基本封装单元：两个基本特性相同的半导体激光器管芯的P面均相对朝向并焊接在一微通道热沉上，该两半导体激光器管芯的P面由半导体激光器的正极引出，管芯的N面由半导体激光器的负极引出，所述的半导体激光器的正极、负极引出与微通道热沉之间由绝缘片分开。本实用新型的优点是：可以将输出功率和输出功率密度提高近两倍，还可以降低工作电压，提高器件的工作稳定性和工作寿命。 |
| 其他摘要 | 一种高功率高亮度半导体激光器，其特征在于至少包括一个基本封装单元：两个基本特性相同的半导体激光器管芯的P面均相对朝向并焊接在一微通道热沉上，该两半导体激光器管芯的P面由半导体激光器的正极引出，管芯的N面由半导体激光器的负极引出，所述的半导体激光器的正极、负极引出与微通道热沉之间由绝缘片分开。本实用新型的优点是：可以将输出功率和输出功率密度提高近两倍，还可以降低工作电压，提高器件的工作稳定性和工作寿命。 |
| 授权日期 | 2007-09-05 |
| 申请日期 | 2006-09-08 |
| 专利号 | CN200944496Y |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200620045616.1 |
| 公开（公告）号 | CN200944496Y |
| IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/024 | H01S5/022 |
| 专利代理人 | 张泽纯 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40224 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辛国锋,瞿荣辉,程灿,等. 高功率高亮度半导体激光器. CN200944496Y[P]. 2007-09-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200944496Y.PDF（314KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [辛国锋]的文章 |
| [瞿荣辉]的文章 |
| [程灿]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [辛国锋]的文章 |
| [瞿荣辉]的文章 |
| [程灿]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [辛国锋]的文章 |
| [瞿荣辉]的文章 |
| [程灿]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论