具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器

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	具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器
其他题名	具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器
	朱振; 张新; 李沛旭; 蒋锴; 徐现刚
	2017-08-04
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2017-08-04
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器，从下至上依次为衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、带隙过渡层和欧姆接触层，上波导层与上限制层之间以及上限制层与带隙过渡层之间均设置带隙渐变过渡层，以减小P型区各异质结处能带的不连续值，降低阻碍载流子注入的势垒高度。无铝材料及低铝组分材料的使用可以降低半导体激光器的内损耗，提高其输出功率。P型区各异质结界面处使用带隙渐变过渡层及带隙阶跃变化过渡层来降低异质结的能带不连续值，进而降低半导体激光器的工作电压。因而本发明提供的半导体激光器可以稳定工作在高输出功率下，并且具有较高的功率转换效率。
其他摘要	一种具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器，从下至上依次为衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、带隙过渡层和欧姆接触层，上波导层与上限制层之间以及上限制层与带隙过渡层之间均设置带隙渐变过渡层，以减小P型区各异质结处能带的不连续值，降低阻碍载流子注入的势垒高度。无铝材料及低铝组分材料的使用可以降低半导体激光器的内损耗，提高其输出功率。P型区各异质结界面处使用带隙渐变过渡层及带隙阶跃变化过渡层来降低异质结的能带不连续值，进而降低半导体激光器的工作电压。因而本发明提供的半导体激光器可以稳定工作在高输出功率下，并且具有较高的功率转换效率。
授权日期	2017-08-04
申请日期	2014-09-22
专利号	CN104242057B
专利状态	授权
申请号	CN201410487020
公开（公告）号	CN104242057B
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/20
专利代理人	王书刚
代理机构	济南日新专利代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40211
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	朱振,张新,李沛旭,等. 具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器. CN104242057B[P]. 2017-08-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104242057B.PDF（415KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文