单模光子晶体边发射半导体激光器

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	单模光子晶体边发射半导体激光器
其他题名	单模光子晶体边发射半导体激光器
	郑婉华; 刘磊; 刘云; 渠红伟; 张冶金; 郭文华; 石岩
	2016-04-27
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2016-04-27
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种单模光子晶体边发射半导体激光器，包括一叠层结构，所述叠层结构包括：一下电极；一N型衬底制作在该下电极上；一N型限制层制作在该N型衬底上；一有源层制作在该N型限制层上；一P型限制层，其中间为沿纵向凸起的三段式波导，该三段式波导的两侧为相对的锥形波导，之间为光子晶体波导，其制作在该有源层之上；一P型盖层，其制作在该P型限制层上的三段式波导的上面；一SiO2绝缘层，其制作在P型限制层上的三段式波导的侧壁上，并覆盖P型限制层的上面，形成基片；以及一上电极，其制作在基片除了侧壁的上面。本发明通过光子晶体波导选择激光器的纵模和侧模，并利用对称双锥形结构放大激光功率，实现高功率、单模、低水平发散角激光输出的目的。
其他摘要	一种单模光子晶体边发射半导体激光器，包括一叠层结构，所述叠层结构包括：一下电极；一N型衬底制作在该下电极上；一N型限制层制作在该N型衬底上；一有源层制作在该N型限制层上；一P型限制层，其中间为沿纵向凸起的三段式波导，该三段式波导的两侧为相对的锥形波导，之间为光子晶体波导，其制作在该有源层之上；一P型盖层，其制作在该P型限制层上的三段式波导的上面；一SiO2绝缘层，其制作在P型限制层上的三段式波导的侧壁上，并覆盖P型限制层的上面，形成基片；以及一上电极，其制作在基片除了侧壁的上面。本发明通过光子晶体波导选择激光器的纵模和侧模，并利用对称双锥形结构放大激光功率，实现高功率、单模、低水平发散角激光输出的目的。
授权日期	2016-04-27
申请日期	2014-03-07
专利号	CN103825194B
专利状态	授权
申请号	CN201410083323.1
公开（公告）号	CN103825194B
IPC 分类号	H01S5/065 \| H01S5/20
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40022
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郑婉华,刘磊,刘云,等. 单模光子晶体边发射半导体激光器. CN103825194B[P]. 2016-04-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103825194B.PDF（398KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文