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半导体激光元件以及激光束偏转装置
其他题名半导体激光元件以及激光束偏转装置
野田进; 黑坂刚孝; 渡边明佳; 广瀬和义; 杉山贵浩
2016-09-28
专利权人国立大学法人京都大学
公开日期2016-09-28
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要对应于第1以及第2周期结构中的各个排列周期(a1、a2)的倒数的差分,在从半导体激光元件的厚度方向看的情况下,相对于第1驱动电极(E2)的长边方向成为规定的角度(δθ)的2个以上的激光束在半导体激光元件内部被生成,这些激光束的一方以在光出射端面上进行全反射的方式被设定,另一方的折射角(θ3)以小于90度的方式被设定。
其他摘要对应于第1以及第2周期结构中的各个排列周期(a1、a2)的倒数的差分,在从半导体激光元件的厚度方向看的情况下,相对于第1驱动电极(E2)的长边方向成为规定的角度(δθ)的2个以上的激光束在半导体激光元件内部被生成,这些激光束的一方以在光出射端面上进行全反射的方式被设定,另一方的折射角(θ3)以小于90度的方式被设定。
授权日期2016-09-28
申请日期2012-12-05
专利号CN103988379B
专利状态授权
申请号CN201280060429.9
公开(公告)号CN103988379B
IPC 分类号H01S5/50
专利代理人杨琦
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40004
专题半导体激光器专利数据库
作者单位国立大学法人京都大学
推荐引用方式
GB/T 7714
野田进,黑坂刚孝,渡边明佳,等. 半导体激光元件以及激光束偏转装置. CN103988379B[P]. 2016-09-28.
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CN103988379B.PDF(2135KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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