ファイバグレーティング半導体レーザモジュールの製造方法

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	ファイバグレーティング半導体レーザモジュールの製造方法
其他题名	ファイバグレーティング半導体レーザモジュールの製造方法
	中谷洋幸; 加藤隆志; 高木敏男
	2005-05-20
专利权人	住友電気工業株式会社
公开日期	2005-08-03
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	(修正有) 【課題】一方の端面を反射器とする発光素子と、端部近傍に回折格子を備えた光ファイバとを備え、反射器と回折格子がレーザ共振器を形成するように構成された半導体光増幅器を備えるファイバグレーティング半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】光ファイバにフェルールを装着する工程と、フェルールを装着された光ファイバを発光素子と共に実装する工程とを含み、更に、光ファイバの実装に先立って、光ファイバにフェルールが装着された状態で、少なくとも回折格子が形成された部分に対して加熱及び冷却を交互に繰り返す熱履歴工程を含むファイバグレーティング半導体レーザの製造方法。
其他摘要	（经修改）要解决的问题：提供一种半导体光放大器，包括具有一个端面作为反射器的发光元件和在其端部附近具有衍射光栅的光纤，并且反射器和衍射光栅形成激光谐振器以及制造光纤布拉格光栅半导体激光器的方法。该方法包括将套圈安装在光纤上的步骤和将附有套圈的光纤与发光元件一起安装的步骤，此外，在安装光纤之前，将套圈连接到光纤上。状态，至少形成衍射光栅的部分交替地重复加热和冷却。
授权日期	2005-05-20
申请日期	1999-04-28
专利号	JP3678052B2
专利状态	失效
申请号	JP1999123243
公开（公告）号	JP3678052B2
IPC 分类号	G02B \| H01S \| G02B6/42 \| H01S5/022 \| H01S5/00
专利代理人	越場隆
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39872
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友電気工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	中谷洋幸,加藤隆志,高木敏男. ファイバグレーティング半導体レーザモジュールの製造方法. JP3678052B2[P]. 2005-05-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3678052B2.PDF（142KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文