一种高效率紧凑型532nm激光器

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	一种高效率紧凑型532nm激光器
其他题名	一种高效率紧凑型532nm激光器
	马玉珂
	2016-02-24
专利权人	马玉珂
公开日期	2016-02-24
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	一种高效率紧凑型532nm激光器，该激光器的电光转换效率大于5%且几何尺寸不大于Φ5.6mm×9mm，包括封装基座及安装平台，安装平台的一端卡装于封装基座上，还包括沿基座中轴方向设置的倍频晶体、激光晶体、半导体激光器管芯、过渡电极及柱镜；柱镜设置于半导体激光器管芯与激光晶体之间，激光晶体相对的另一端设置倍频晶体。过渡电极与倍频晶体、激光晶体、半导体激光器管芯及柱镜固定于封装平台上。所述安装平台上还设置激光晶体和倍频晶体的安装槽和固定槽。通过二次谐波法获得532nm激光输出上将具有稳定性方面的巨大优势；设置散热优良、便于装配调整固定的基座，成为大批量生产的关键；且532nm激光输出的工作温度范围宽，稳定，结构简单，成本低。
其他摘要	一种高效率紧凑型532nm激光器，该激光器的电光转换效率大于5%且几何尺寸不大于Φ5.6mm×9mm，包括封装基座及安装平台，安装平台的一端卡装于封装基座上，还包括沿基座中轴方向设置的倍频晶体、激光晶体、半导体激光器管芯、过渡电极及柱镜；柱镜设置于半导体激光器管芯与激光晶体之间，激光晶体相对的另一端设置倍频晶体。过渡电极与倍频晶体、激光晶体、半导体激光器管芯及柱镜固定于封装平台上。所述安装平台上还设置激光晶体和倍频晶体的安装槽和固定槽。通过二次谐波法获得532nm激光输出上将具有稳定性方面的巨大优势；设置散热优良、便于装配调整固定的基座，成为大批量生产的关键；且532nm激光输出的工作温度范围宽，稳定，结构简单，成本低。
授权日期	2016-02-24
申请日期	2015-11-03
专利号	CN205051163U
专利状态	授权
申请号	CN201520866659
公开（公告）号	CN205051163U
IPC 分类号	H01S3/0941 \| H01S3/109 \| H01S3/02
专利代理人	罗晓林
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39871
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	马玉珂
推荐引用方式 GB/T 7714	马玉珂. 一种高效率紧凑型532nm激光器. CN205051163U[P]. 2016-02-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN205051163U.PDF（402KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文