Tapered semiconductor waveguides

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	Tapered semiconductor waveguides
其他题名	Tapered semiconductor waveguides
	KOCH, THOMAS L.; KOREN, UZIEL
	1990-06-05
专利权人	BELL TELEPHONE LABORATORIES, INC., A CORP. OF NY
公开日期	1990-06-05
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	Adiabatic mode control and structural reproducibility are achieved by a tapered semiconductor waveguide structure wherein semiconductor guiding layers are interleaved with stop-etch layers and each successive guiding layer extends further along the propagation axis of the waveguide than the guiding layer immediately adjacent thereabove to create a staircase-like core or guiding structure. Cladding regions of appropriate semiconductor material having a lower index of refraction than the tapered core structure may be added to completely surround the tapered guiding structure. The profile of the tapered structure is realizable as any desired staircase-like shape such as linear, parabolic, exponential or the like. Additional layers of higher index of refraction semiconductor material may be included in the cladding region to permit additional beam shaping of the expanded spatial mode propagating along the tapered waveguide.
其他摘要	通过锥形半导体波导结构实现绝热模式控制和结构再现性，其中半导体引导层与停止蚀刻层交错，并且每个连续引导层沿着波导的传播轴进一步延伸，而不是紧邻其上方的引导层以形成楼梯类似核心或指导结构。可以添加具有比锥形芯结构低的折射率的适当半导体材料的包覆区域以完全包围锥形引导结构。锥形结构的轮廓可以实现为任何所需的阶梯状形状，例如线性，抛物线，指数等。在包层区域中可以包括附加的较高折射率半导体材料层，以允许沿锥形波导传播的扩展空间模式的附加光束整形。
授权日期	1990-06-05
申请日期	1989-08-03
专利号	US4932032
专利状态	失效
申请号	US07/389087
公开（公告）号	US4932032
IPC 分类号	G02B6/30 \| G02B6/122 \| H01S5/00 \| H01S5/10 \| H01S5/323 \| H01S3/19
专利代理人	-
代理机构	RANIERI, GREGORY C.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39763
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	BELL TELEPHONE LABORATORIES, INC., A CORP. OF NY
推荐引用方式 GB/T 7714	KOCH, THOMAS L.,KOREN, UZIEL. Tapered semiconductor waveguides. US4932032[P]. 1990-06-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US4932032.PDF（160KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文