LED芯片及其制作方法

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	LED芯片及其制作方法
其他题名	LED芯片及其制作方法
	陈朋; 齐胜利
	2017-09-12
专利权人	上海蓝光科技有限公司
公开日期	2017-09-12
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的制作方法至少包括以下步骤：1）提供一透光衬底，在所述透光衬底上自下而上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层；2）对步骤1）获得的结构周围进行刻蚀，形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；3）在所述P型半导体层上形成一反射层；4）在所述反射层上形成P电极层，在所述第一台阶底面上形成N电极层，得到LED芯片。本发明中N电极层形成于LED芯片外围一周，P电极层形成于LED芯片中间并被所述N电极层所环绕，此种结构更有利于电流的均匀扩散，提高发光效率；且LED芯片可直接封装在支架上，制备简单，更有利于芯片的散热，提高芯片的寿命。
其他摘要	本发明提供一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的制作方法至少包括以下步骤：1）提供一透光衬底，在所述透光衬底上自下而上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层及P型半导体层；2）对步骤1）获得的结构周围进行刻蚀，形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；3）在所述P型半导体层上形成一反射层；4）在所述反射层上形成P电极层，在所述第一台阶底面上形成N电极层，得到LED芯片。本发明中N电极层形成于LED芯片外围一周，P电极层形成于LED芯片中间并被所述N电极层所环绕，此种结构更有利于电流的均匀扩散，提高发光效率；且LED芯片可直接封装在支架上，制备简单，更有利于芯片的散热，提高芯片的寿命。
授权日期	2017-09-12
申请日期	2013-09-18
专利号	CN104465895B
专利状态	授权
申请号	CN201310430166.2
公开（公告）号	CN104465895B
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L33/38 \| H01L33/46 \| H01L33/20 \| H01L33/64
专利代理人	李仪萍
代理机构	上海光华专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39478
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	上海蓝光科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	陈朋,齐胜利. LED芯片及其制作方法. CN104465895B[P]. 2017-09-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104465895B.PDF（1208KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文