Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Variable oscillation wavelength semiconduction laser device | |
其他题名 | Variable oscillation wavelength semiconduction laser device |
SHIMIZU, AKIRA | |
1991 | |
专利权人 | CANON KABUSHIKI KAISHA |
公开日期 | 1991 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | In a semiconductor laser device for emitting a laser beam of a variable frequency depending on a current applied to the laser device, there are provided a semiconductor substrate, an optical waveguide structure formed on the substrate having two or more semiconductor light emission layers and barrier layers having a wider band gap then that of the light emission layers, alternately stacked, clad layers stacked on the opposite sides of the waveguide structure and having a lower refractive index than that of the waveguide structure, and a device for applying a current to the light emission layers, and the wave guide structure includes at least first and the second light emission layers which respectively emit lights having different wavelengths. |
其他摘要 | 在用于根据施加到激光器件的电流发射可变频率的激光束的半导体激光器件中,提供了半导体衬底,形成在具有两个或更多个半导体发光层和阻挡层的衬底上的光波导结构具有比发光层更宽的带隙,交替堆叠的包层,堆叠在波导结构的相对侧上并且具有比波导结构的折射率低的折射率,以及用于向光施加电流的装置发射层和波导结构包括至少第一和第二发光层,它们分别发射具有不同波长的光。 |
授权日期 | 1991-01-01 |
申请日期 | 1990-04-16 |
专利号 | US4982408 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | US07/511921 |
公开(公告)号 | US4982408 |
IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/34 | H01S5/00 | H01S5/062 | H01S3/19 | H01S3/082 |
专利代理人 | - |
代理机构 | FITZPATRICK,CELLA HARPER & SCINTO |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39448 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | CANON KABUSHIKI KAISHA |
推荐引用方式 GB/T 7714 | SHIMIZU, AKIRA. Variable oscillation wavelength semiconduction laser device. US4982408[P]. 1991-01-01. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US4982408.PDF(756KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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