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Variable oscillation wavelength semiconduction laser device
其他题名Variable oscillation wavelength semiconduction laser device
SHIMIZU, AKIRA
1991
专利权人CANON KABUSHIKI KAISHA
公开日期1991
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要In a semiconductor laser device for emitting a laser beam of a variable frequency depending on a current applied to the laser device, there are provided a semiconductor substrate, an optical waveguide structure formed on the substrate having two or more semiconductor light emission layers and barrier layers having a wider band gap then that of the light emission layers, alternately stacked, clad layers stacked on the opposite sides of the waveguide structure and having a lower refractive index than that of the waveguide structure, and a device for applying a current to the light emission layers, and the wave guide structure includes at least first and the second light emission layers which respectively emit lights having different wavelengths.
其他摘要在用于根据施加到激光器件的电流发射可变频率的激光束的半导体激光器件中,提供了半导体衬底,形成在具有两个或更多个半导体发光层和阻挡层的衬底上的光波导结构具有比发光层更宽的带隙,交替堆叠的包层,堆叠在波导结构的相对侧上并且具有比波导结构的折射率低的折射率,以及用于向光施加电流的装置发射层和波导结构包括至少第一和第二发光层,它们分别发射具有不同波长的光。
授权日期1991-01-01
申请日期1990-04-16
专利号US4982408
专利状态失效
申请号US07/511921
公开(公告)号US4982408
IPC 分类号H01S5/40 | H01S5/34 | H01S5/00 | H01S5/062 | H01S3/19 | H01S3/082
专利代理人-
代理机构FITZPATRICK,CELLA HARPER & SCINTO
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39448
专题半导体激光器专利数据库
作者单位CANON KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式
GB/T 7714
SHIMIZU, AKIRA. Variable oscillation wavelength semiconduction laser device. US4982408[P]. 1991-01-01.
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