Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

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	Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same
其他题名	Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same
	YOKOGAWA, TOSHIYA; YOSHII, SHIGEO; SASAI, YOICHI
	1998-10-13
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
公开日期	1998-10-13
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	In a II-VI group semiconductor laser, on an n type GaAs substrate, an n type ZnSe layer, a multiquantum well layer of a ZnCdSe well layer and a ZnSe barrier layer, and a p type ZnSe layer are deposited in this order. A polycrystalline ZnO layer is provided on both sides of the p type ZnSe layer for constricting current. Multifilm reflecting mirrors, respectively constituted with a polycrystalline SiO2 layer and a polycrystalline TiO2 layer, for obtaining laser oscillation are provided on the p type ZnSe layer as well as on a surface of the n type ZnSe layer exposed by etching the GaAs substrate. Furthermore, a p type AuPd electrode and an n type AuGeNi electrode are respectively provided. Alternatively, on an n type GaAs substrate, an n type ZnSe epitaxial layer, an n type ZnMgSSe cladding layer, an n type ZnSSe optical waveguide layer, a ZnCdSe active layer, a p type ZnSSe optical waveguide layer, a p type ZnMgSSe cladding layer, a p type ZnTe contact layer and a polycrystalline ZnO burying layer are respectively formed. Furthermore, a p type AuPd electrode and an n type In electrode are respectively provided.
其他摘要	在II-VI族半导体激光器中，在n型GaAs衬底上，依次沉积n型ZnSe层，ZnCdSe阱层和ZnSe势垒层的多量子阱层，以及p型ZnSe层。在p型ZnSe层的两侧提供多晶ZnO层以限制电流。在p型ZnSe层上以及通过蚀刻GaAs衬底而暴露的n型ZnSe层的表面上提供用于获得激光振荡的分别由多晶SiO2层和多晶TiO 2层构成的多膜反射镜。此外，分别提供p型AuPd电极和n型AuGeNi电极。或者，在n型GaAs衬底上，n型ZnSe外延层，n型ZnMgSSe覆层，n型ZnSSe光波导层，ZnCdSe有源层，p型ZnSSe光波导层，p型ZnMgSSe覆层，p分别形成ZnTe接触层和多晶ZnO掩埋层。此外，分别提供p型AuPd电极和n型In电极。
授权日期	1998-10-13
申请日期	1996-01-22
专利号	US5822347
专利状态	失效
申请号	US08/589488
公开（公告）号	US5822347
IPC 分类号	H01S5/327 \| H01L33/00 \| H01S5/347 \| H01S5/00 \| H01S5/183 \| H01S5/20 \| H01S5/223 \| H01S5/22 \| H01L33/10 \| H01L33/28 \| H01L33/46 \| H01S3/19 \| H01L29/22
专利代理人	-
代理机构	RATNER & PRESTIA
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39391
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	YOKOGAWA, TOSHIYA,YOSHII, SHIGEO,SASAI, YOICHI. Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same. US5822347[P]. 1998-10-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5822347.PDF（385KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文