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可用于制作光子晶体掩膜层的双光束曝光系统及方法
其他题名可用于制作光子晶体掩膜层的双光束曝光系统及方法
丁海生; 李东昇; 马新刚; 江忠永; 张昊翔; 王洋; 李超; 黄捷; 黄敬
2014-03-12
专利权人杭州士兰明芯科技有限公司
公开日期2014-03-12
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明公开了一种可用于制作光子晶体掩膜层的双光束曝光系统,包括激光光源、扩束准直系统、分束合光装置和两个可转动晶片夹持器,分束合光装置包括第一分束合光棱镜、第二分束合光棱镜和两个反射镜,激光光源、扩束准直系统和第一分束合光棱镜由前至后依次设置,两个反射镜分别位于第一分束合光棱镜的后面和侧面,第一、第二分束合光棱镜和两个反射镜所在的位置组成平行四边形,两个可转动晶片夹持器分别位于第二分束合光棱镜的后面和侧面,电动快门设置于激光光源和扩束准直系统之间或者设置于扩束准直系统和第一分束合光棱镜之间。还公开了一种可用于制作光子晶体掩膜层的双光束曝光方法。本发明结构简单、价格低廉的、易于实现。
其他摘要本发明公开了一种可用于制作光子晶体掩膜层的双光束曝光系统,包括激光光源、扩束准直系统、分束合光装置和两个可转动晶片夹持器,分束合光装置包括第一分束合光棱镜、第二分束合光棱镜和两个反射镜,激光光源、扩束准直系统和第一分束合光棱镜由前至后依次设置,两个反射镜分别位于第一分束合光棱镜的后面和侧面,第一、第二分束合光棱镜和两个反射镜所在的位置组成平行四边形,两个可转动晶片夹持器分别位于第二分束合光棱镜的后面和侧面,电动快门设置于激光光源和扩束准直系统之间或者设置于扩束准直系统和第一分束合光棱镜之间。还公开了一种可用于制作光子晶体掩膜层的双光束曝光方法。本发明结构简单、价格低廉的、易于实现。
授权日期2014-03-12
申请日期2012-06-15
专利号CN102707584B
专利状态授权
申请号CN201210202600.7
公开(公告)号CN102707584B
IPC 分类号G03F7/20 | G02B27/10 | G02B26/08 | G02B27/09 | G02B5/08
专利代理人郑玮
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39386
专题半导体激光器专利数据库
作者单位杭州士兰明芯科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
丁海生,李东昇,马新刚,等. 可用于制作光子晶体掩膜层的双光束曝光系统及方法. CN102707584B[P]. 2014-03-12.
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