可用于制作光子晶体掩膜层的双光束曝光系统

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	可用于制作光子晶体掩膜层的双光束曝光系统
其他题名	可用于制作光子晶体掩膜层的双光束曝光系统
	丁海生; 李东昇; 马新刚; 江忠永; 张昊翔; 王洋; 李超; 黄捷; 黄敬
	2013-03-06
专利权人	杭州士兰明芯科技有限公司
公开日期	2013-03-06
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种可用于制作光子晶体掩膜层的双光束曝光系统，包括激光光源、扩束准直系统、分束合光装置和两个可转动晶片夹持器,分束合光装置包括第一分束合光棱镜、第二分束合光棱镜和两个反射镜，激光光源、扩束准直系统和第一分束合光棱镜由前至后依次设置，两个反射镜分别位于第一分束合光棱镜的后面和侧面，第一、第二分束合光棱镜和两个反射镜所在的位置组成平行四边形，两个可转动晶片夹持器分别位于第二分束合光棱镜的后面和侧面，电动快门设置于激光光源和扩束准直系统之间或者设置于扩束准直系统和第一分束合光棱镜之间。本实用新型结构简单、价格低廉的、易于实现。
其他摘要	本实用新型公开了一种可用于制作光子晶体掩膜层的双光束曝光系统，包括激光光源、扩束准直系统、分束合光装置和两个可转动晶片夹持器,分束合光装置包括第一分束合光棱镜、第二分束合光棱镜和两个反射镜，激光光源、扩束准直系统和第一分束合光棱镜由前至后依次设置，两个反射镜分别位于第一分束合光棱镜的后面和侧面，第一、第二分束合光棱镜和两个反射镜所在的位置组成平行四边形，两个可转动晶片夹持器分别位于第二分束合光棱镜的后面和侧面，电动快门设置于激光光源和扩束准直系统之间或者设置于扩束准直系统和第一分束合光棱镜之间。本实用新型结构简单、价格低廉的、易于实现。
授权日期	2013-03-06
申请日期	2012-06-15
专利号	CN202771155U
专利状态	失效
申请号	CN201220287264.6
公开（公告）号	CN202771155U
IPC 分类号	G03F7/20 \| G02B27/10 \| G02B26/08 \| G02B27/09 \| G02B5/08
专利代理人	郑玮
代理机构	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39383
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	杭州士兰明芯科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	丁海生,李东昇,马新刚,等. 可用于制作光子晶体掩膜层的双光束曝光系统. CN202771155U[P]. 2013-03-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN202771155U.PDF（572KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文