半導体波長可変装置

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	半導体波長可変装置
其他题名	半導体波長可変装置
	曲克明; 野口悦男; 岡本稔; 三上修
	1999-04-02
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	1999-06-21
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a semiconductor wavelength varying device having a wide continuous wavelength sweeping width by forming a waveguide including a diffraction grating in a stripe state, and continuously bending the waveguide in a direction where the light travels. CONSTITUTION:An n-type InGaAsP optical guide layer 2, an undoped MQW active layer 3 and a p-type InGaAsP optical guide layer 4 are continuously grown on an n-type InP substrate 1 by a liquid growing method. Then, after an uneven diffraction grating 20 is formed on the layer 4, a p-type InP clad layer 5 and a p-type InGaAsP electrode layer 6 are continuously grown. Thereafter, after a thin SiO2 film is formed on the entire surface by a sputtering method, the thin film is formed in a curved stripe state by photoetching. Subsequently, with the thin film as a mask it is etched until it reaches the substrate 1, and a p-type InP layer 7 and an n-type InP layer 8 are formed. Then a p-type ohmic electrode 9 is formed on the entire surface, a groove 11 is formed by reactive ion etching, and a waveguide G is buried therein.
其他摘要	目的：通过形成包括条纹状态的衍射光栅的波导，并在光传播的方向上连续弯曲波导，以获得具有宽的连续波长扫描宽度的半导体波长可变装置。组成：n型InGaAsP光导层2，未掺杂的MQW有源层3和p型InGaAsP光导层4通过液体生长方法在n型InP衬底1上连续生长。然后，在层4上形成不均匀的衍射光栅20之后，连续生长p型InP包层5和p型InGaAsP电极层6。此后，在通过溅射方法在整个表面上形成薄的SiO 2膜之后，通过光刻将薄膜形成为弯曲的条纹状态。随后，以薄膜作为掩模，对其进行蚀刻直至其到达基板1，并形成p型InP层7和n型InP层8。然后在整个表面上形成p型欧姆电极9，通过反应离子蚀刻形成凹槽11，并且在其中埋入波导G.
授权日期	1999-04-02
申请日期	1990-12-21
专利号	JP2907234B2
专利状态	失效
申请号	JP1990405191
公开（公告）号	JP2907234B2
IPC 分类号	H01S \| G02F1/025 \| H01S5/026 \| H01S5/10 \| G02F \| H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S5/12 \| H01S3/18
专利代理人	谷義一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39257
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	曲克明,野口悦男,岡本稔,等. 半導体波長可変装置. JP2907234B2[P]. 1999-04-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2907234B2.PDF（52KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文