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化合物半导体封装结构及其制造方法
其他题名化合物半导体封装结构及其制造方法
陈志明
2015-01-07
专利权人江苏鲁汶仪器有限公司
公开日期2015-01-07
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明揭露一种化合物半导体的封装结构,包含:一底座,一反射杯设置于所述底座上表面形成一容置区,至少一化合物半导体芯片设置于所述容置区,至少一导线架设置于所述底座上表面与所述反射杯的间以及延伸至所述底座下表面,一封胶填充于所述容置区并覆盖所述至少一化合物半导体芯片,所述底座四面侧壁向内倾且邻接底座下表面形成一四方锥形。再者,本发明同时提供封装结构的制造方法。
其他摘要本发明揭露一种化合物半导体的封装结构,包含:一底座,一反射杯设置于所述底座上表面形成一容置区,至少一化合物半导体芯片设置于所述容置区,至少一导线架设置于所述底座上表面与所述反射杯的间以及延伸至所述底座下表面,一封胶填充于所述容置区并覆盖所述至少一化合物半导体芯片,所述底座四面侧壁向内倾且邻接底座下表面形成一四方锥形。再者,本发明同时提供封装结构的制造方法。
授权日期2015-01-07
申请日期2010-03-18
专利号CN102194965B
专利状态授权
申请号CN201010127227.4
公开(公告)号CN102194965B
IPC 分类号H01L33/48 | H01L33/54
专利代理人汪飞亚
代理机构深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39251
专题半导体激光器专利数据库
作者单位江苏鲁汶仪器有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
陈志明. 化合物半导体封装结构及其制造方法. CN102194965B[P]. 2015-01-07.
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CN102194965B.PDF(1000KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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