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化合物半导体封装结构及其制造方法
Alternative Title化合物半导体封装结构及其制造方法
陈志明
2015-01-07
Rights Holder江苏鲁汶仪器有限公司
Date Available2015-01-07
Country中国
Subtype授权发明
Abstract本发明揭露一种化合物半导体的封装结构,包含:一底座,一反射杯设置于所述底座上表面形成一容置区,至少一化合物半导体芯片设置于所述容置区,至少一导线架设置于所述底座上表面与所述反射杯的间以及延伸至所述底座下表面,一封胶填充于所述容置区并覆盖所述至少一化合物半导体芯片,所述底座四面侧壁向内倾且邻接底座下表面形成一四方锥形。再者,本发明同时提供封装结构的制造方法。
Other Abstract本发明揭露一种化合物半导体的封装结构,包含:一底座,一反射杯设置于所述底座上表面形成一容置区,至少一化合物半导体芯片设置于所述容置区,至少一导线架设置于所述底座上表面与所述反射杯的间以及延伸至所述底座下表面,一封胶填充于所述容置区并覆盖所述至少一化合物半导体芯片,所述底座四面侧壁向内倾且邻接底座下表面形成一四方锥形。再者,本发明同时提供封装结构的制造方法。
Copyright Date2015-01-07
Application Date2010-03-18
Patent NumberCN102194965B
Status授权
Application NumberCN201010127227.4
Open (Notice) NumberCN102194965B
IPC Classification NumberH01L33/48 | H01L33/54
Patent Agent汪飞亚
Agency深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39251
Collection半导体激光器专利数据库
Affiliation江苏鲁汶仪器有限公司
Recommended Citation
GB/T 7714
陈志明. 化合物半导体封装结构及其制造方法. CN102194965B[P]. 2015-01-07.
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