封装基座结构及其制作方法

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	封装基座结构及其制作方法
其他题名	封装基座结构及其制作方法
	伍茂仁; 蓝孝晋; 温安农; 许志宏; 萧旭良; 张家齐; 李佳佑; 陈秀萍; 钟敏豪
	2012-12-26
专利权人	国立中央大学
公开日期	2012-12-26
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明为一种封装基座结构及其制作方法，该封装基座制作方法包含下列步骤：提供一半导体基板，该半导体基板具有一表面；于该半导体基板的表面上方形成一第一蚀刻罩幕，该第一蚀刻罩幕上具有一蚀刻窗口，该蚀刻窗口具有沿一第一方向延伸的一侧壁，而该第一方向与该半导体基板的晶格方向间具有一偏移角度，该偏移角度的范围大于等于0度且小于45度或小于等于90度但大于45度；运用该第一蚀刻罩幕及该蚀刻窗口对该半导体基板进行一选择性非均向蚀刻，进而沿该第一方向而于该半导体基板表面上蚀刻出一斜面；于该斜面上形成一第二蚀刻罩幕，该第二蚀刻罩幕上具有多个蚀刻窗口；以及运用该第二蚀刻罩幕及该等蚀刻窗口对该斜面进行蚀刻，进而于该斜面上蚀刻出具有多个凹槽结构的一微光学绕射组件。
其他摘要	本发明为一种封装基座结构及其制作方法，该封装基座制作方法包含下列步骤：提供一半导体基板，该半导体基板具有一表面；于该半导体基板的表面上方形成一第一蚀刻罩幕，该第一蚀刻罩幕上具有一蚀刻窗口，该蚀刻窗口具有沿一第一方向延伸的一侧壁，而该第一方向与该半导体基板的晶格方向间具有一偏移角度，该偏移角度的范围大于等于0度且小于45度或小于等于90度但大于45度；运用该第一蚀刻罩幕及该蚀刻窗口对该半导体基板进行一选择性非均向蚀刻，进而沿该第一方向而于该半导体基板表面上蚀刻出一斜面；于该斜面上形成一第二蚀刻罩幕，该第二蚀刻罩幕上具有多个蚀刻窗口；以及运用该第二蚀刻罩幕及该等蚀刻窗口对该斜面进行蚀刻，进而于该斜面上蚀刻出具有多个凹槽结构的一微光学绕射组件。
授权日期	2012-12-26
申请日期	2010-03-12
专利号	CN101834260B
专利状态	授权
申请号	CN201010136033.0
公开（公告）号	CN101834260B
IPC 分类号	H01L33/48 \| H01L33/58 \| H01S5/022
专利代理人	郑小军 \| 冯志云
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39249
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	国立中央大学
推荐引用方式 GB/T 7714	伍茂仁,蓝孝晋,温安农,等. 封装基座结构及其制作方法. CN101834260B[P]. 2012-12-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101834260B.PDF（609KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文